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[VASP] 请问TiO2(101)面的态密度为什么费米能级附近会有峰

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计算TiO2(101)面的dos,在费米能级附近出现很多小峰,没有和文献一样出现空白。下面第一个是我的图,第二个是文献的。INCAR文件在图三。求各位大佬解答,该怎么设置能消除费米能级附近的峰,出现半导体的dos特性。

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屏幕截图 2024-04-17 221340.png

屏幕截图 2024-04-17 222233.jpg (79.06 KB, 下载次数 Times of downloads: 4)

屏幕截图 2024-04-17 222233.jpg

屏幕截图 2024-04-17 222535.jpg (79.09 KB, 下载次数 Times of downloads: 7)

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发表于 Post on 2024-4-22 18:32:49 | 只看该作者 Only view this author
建议把模型也贴上         在费米面的杂质能级可能是表面悬挂键造成   

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发表于 Post on 2024-4-22 19:36:33 | 只看该作者 Only view this author
做成上下对称的比较好

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2024-5-10 21:55:45 | 只看该作者 Only view this author
淦饭青年 发表于 2024-4-22 18:32
建议把模型也贴上         在费米面的杂质能级可能是表面悬挂键造成

谢谢!确实是模型底部有不饱和键 整体dos出现很多杂峰

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2024-5-10 21:56:40 | 只看该作者 Only view this author
123wo 发表于 2024-4-22 19:36
做成上下对称的比较好

嗯嗯 谢谢! 重新建模去掉了底下的不饱和键 dos就正常了

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