STM模拟计算细节

不取俗名

最近在做STM模拟，有一些的问题想向大家请教：
1. 大家都是用什么软件做的，用p4VASP可以吗？
2. 所采用的原理是这样的吗：Scanning tunneling microscopy (STM) images are simulated using the Tersoff–Hamann approach,65,66 which assumes that tunneling current is proportional to the local density of states (LDOS) at the position of the STM tip and only the orbitals localized at the outermost tip atom will be of importance for the tunneling process.
3. 计算STM需要考虑表面吗
4. 取上方5埃的的电荷密度是怎么实现的 On the other hand experimentally obtained constant current STM images only include surface states that are in the vicinity of the tip (<2 &Aring;) as it moves along the surface (raster scan). So direct comparison of calculated partial charge density to experimental STM images is not rational. For a logical comparison, we sampled the partial charge density of porphyrin/substrate at 5 &Aring; above porphyrin plane.
5. 不同的偏压计算是怎么实现的

望各位资深专家不吝赐教，多谢

ggdh

用(1)vasp 软件完成，弄到晶体结构，建立一个(3)周期性表面的模型，在vasp的输入文件中用LPARD计算(2)valence band 附近的 partial charge, 用EINT设定(5)不同偏压（上下限分别是Evb 和 Evb+e*Vb）。在所获得的PARCHG文件中取出距离porphyrin plane 表面5A距离的电荷密度(4)(用脚本做，比如matlab或者python，尚不知道是否有现成软件可以实现）。最后用软件作图。

不取俗名

ggdh 发表于 2016-12-16 11:48
用(1)vasp 软件完成，弄到晶体结构，建立一个(3)周期性表面的模型，在vasp的输入文件中用LPARD计算(2)valen ...

感谢回答