如果要计算掺杂体系的能带态密度，是否在计算的时候要考虑带电体系修正

mxy爱计算

各位大佬们我想问一下，如果要计算掺杂体系的能带态密度，是否在计算的时候要考虑带电体系修正，也就是要修改NELECT这个参数吗

mxy爱计算

@卡开发发 卡卡老师，这个问题能帮忙解答下吗

sobereva

如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此帖内容是求助或提问，并清楚、准确反映出帖子具体内容，避免有任何歧义和含糊性，仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “第一性原理计算掺杂体系能带” 改了，以后务必注意！

参数是取决于程序的，不说程序问什么NELECT毫无意义，何况你发帖时选的分类里也没体现用的程序。

卡开发发

mxy爱计算 发表于 2024-7-8 22:06
@卡开发发 卡卡老师，这个问题能帮忙解答下吗

是的（NELECT应该是VASP程序的关键字），但要小心测试超晶胞。

mxy爱计算

sobereva 发表于 2024-7-8 23:04
如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此 ...

是的老师，我这个是vasp计算，感谢老师指正

mxy爱计算

卡开发发 发表于 2024-7-9 02:26
是的（NELECT应该是VASP程序的关键字），但要小心测试超晶胞。

卡卡老师，是这样的，如果考虑到在已经结构优化好的Bi24Te36体系中掺杂一个1价Cu的问题，想计算缺陷体系能量，有以下疑惑
1. 直接对加了一个Cu原子的Bi24Te36Cu进行结构优化，这个应该结构优化时候是当做中性体系考虑，结构优化完成之后的带电量应该是Bi24Te36Cu中性体系的带电量，然后在静态计算的时候通过改变NELECT，这样得出一个能量
2. 加了一个Cu之后直接改动相应NELECT，之后NELECT不予以变动，并进行结构优化和后面的静态计算，这样也有一个结果
不知道这样两个理解哪个合理

卡开发发

mxy爱计算 发表于 2024-7-9 11:35
卡卡老师，是这样的，如果考虑到在已经结构优化好的Bi24Te36体系中掺杂一个1价Cu的问题，想计算缺陷体系 ...

2是合理的。但是改动NELECT得做超晶胞测试。

mxy爱计算

卡卡老师，我想请问一下，这个改动了NELECT之后，对能带和态密度的影响非常大，如果不改动按照中性体系算，费米能级直接进入了导带，呈金属特性，如果改动了。费米能级依然在价带和导带中间，还是半导体特性，不太清楚改动前后出现变化是为什么，另外哪种可能更合理些，体系是CuBi24Te36，Bi2Te3本身是个半导体。

mxy爱计算

希望老师有空可以解答下一下

卡开发发

mxy爱计算 发表于 2024-8-28 17:25
卡卡老师，我想请问一下，这个改动了NELECT之后，对能带和态密度的影响非常大，如果不改动按照中性体系算， ...

你可以比较一下带电和不带电情况的形成能（具体做法你应该可以从文献上找到，需要注意做好该做的测试）。

shinkon

难道不是考虑形成对应的空穴/电荷补偿离子更合适吗

mxy爱计算

卡开发发 发表于 2024-8-28 20:49
你可以比较一下带电和不带电情况的形成能（具体做法你应该可以从文献上找到，需要注意做好该做的测试）。

老师，测试指的是扩不同大小的超胞计算能量吗，如果计算出了形成能，是取的是形成能高的还是低的

mxy爱计算

shinkon 发表于 2024-8-28 21:55
难道不是考虑形成对应的空穴/电荷补偿离子更合适吗

老师想请问下这个“形成对应的空穴/电荷补偿离子”是什么意思，如果是中性CuBi24Te36，其NELECT为587，如果假设Cu是正一价，是不是要按照NELECT为586来算能带和态密度

mxy爱计算

卡开发发 发表于 2024-8-28 20:49
你可以比较一下带电和不带电情况的形成能（具体做法你应该可以从文献上找到，需要注意做好该做的测试）。

老师，这个超晶胞测试是不是那个，要考虑到周期性边界中由于带电体系的静电相互作用而产生的修正，所以需要超晶胞测试

卡开发发

mxy爱计算 发表于 2024-8-28 22:38
老师，这个超晶胞测试是不是那个，要考虑到周期性边界中由于带电体系的静电相互作用而产生的修正，所以需 ...

对。