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[VASP] 关于VASP结构优化出现结构断键问题请教

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各位老师我最近在计算限域空间里面Co对于的PMS(HSO5-)的活化,我在结构优化时力没收敛,然后我查看CONTCAR的时候发现PMS已经断键散掉了,但是看他断键后构型似乎是OH和SO4-这两个自由基,这个确实也是符合目前文献里面描述PMS活化后可能会产生的两种自由基,但是别人文献里面理论计算在这个层间距(9埃)下PMS不会出现这么明显的活化效果,更多的是PMS较为完整的吸附在金属上,然后PMS里面的O-O键出现伸长。现在我想问一下各位老师(1)我是应该重新调整一下初始构型重新计算;(2)还是接着上面的构型调整一下INCAR里面参数继续优化直到力收敛呢?

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最后几步力的值

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每一步力的变化

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初始构型

初始构型

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优化后构型

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INCAR

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发表于 Post on 2024-8-15 14:35:20 | 只看该作者 Only view this author
你好,请问解决了吗,我也是在结构优化时分子发生断键

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2024-8-16 11:27:43 | 只看该作者 Only view this author
Yaohaohao 发表于 2024-8-15 14:35
你好,请问解决了吗,我也是在结构优化时分子发生断键

没有,你在优化什么构型呢,我这个断键好像是合理的,只是没有达到力的收敛,我还在尝试

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发表于 Post on 2024-12-2 22:53:25 | 只看该作者 Only view this author
你好,我也遇到类似的问题,但是我断的是S-O键,反而不是O-O键,很奇怪

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2024-12-7 13:54:16 | 只看该作者 Only view this author
白丝赛高! 发表于 2024-12-2 22:53
你好,我也遇到类似的问题,但是我断的是S-O键,反而不是O-O键,很奇怪

我感觉限域优化好像就是会奇奇怪怪断键,你达到收敛了吗?我看了好几篇文献,他们限域优化好像力设定的比较高,要么就是用从头算动力学算的

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发表于 Post on 2025-1-2 22:55:10 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 白丝赛高! 于 2025-1-2 23:04 编辑
KCM@SHU 发表于 2024-12-7 13:54
我感觉限域优化好像就是会奇奇怪怪断键,你达到收敛了吗?我看了好几篇文献,他们限域优化好像力设定的比 ...

我没收敛,不过我能算出来S-O断键和O-O断键两种情况。这块的问题很复杂。首先,pms本身电性的处理,有处理成中性基态的,有补偿电荷的。你看zzh老师他们课题组,全是做成电中性分子处理的,我看了三四篇全是的。代表的是Nature Communications, 2022, 13(1): 4010.这篇NC,pms里面S-O键初始都1.9埃米了,然后再说S-O键在反应过程中被拉长-断裂。再比如这篇ACS ES&T的综述里面(ACS ES&T Engineering, 2023, 4(1): 19-46.),又有很多是电负性处理的,这个时候大多断的是O-O键。另外我看你做的也是单原子催化PMS,这块我也有个问题想请教你。我试过把pms当初电负性分子来算,吸附好像能很容易算成正的,反而当初电中性分子,基本上就是-1.7--2.2ev之间,挺符合文献的,不知道你是不是也这样。总之pms这个东西做起来挺麻烦的,还有限域的时候要固定层间距,如何固定层间距以及是否合理又是问题。如果有兴趣接着讨论的话,欢迎加我vx:Lapis0108

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发表于 Post on 2025-1-2 22:58:39 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 白丝赛高! 于 2025-1-2 23:01 编辑
KCM@SHU 发表于 2024-12-7 13:54
我感觉限域优化好像就是会奇奇怪怪断键,你达到收敛了吗?我看了好几篇文献,他们限域优化好像力设定的比 ...

另外关于收敛还有一点,似乎和固定层间距有关系。这种二维材料一般优化结构的时候,应力往往是集中在原子的Z方向的,而我们因为固定层间距的需求,应该是要把z方向的位移限制住的,所以导致原子只能在平面内优化,优化效率很慢。优化后的结构有点“层错”的感觉。如果做一个粗糙的预计算,可以试试直接把两层都固定住了看看PMS怎么变化,我就是用这样的方法算不同的模型以及对应的的断键情况的,可以节约很多时间。把pms计算完了之后再把其他结构逐步放开去优化,这样更容易收敛。

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