求助：请问一下mofs的缺陷形成能如何计算？

fuhua

最近在做一个反应，该反应在mofs缺陷上进行。想计算一下mofs配体的缺陷形成能，但是不知道如何计算。
我在b站上找到的形成能计算公式为：∆H(D,q) = E(D,q) — E(perfect) + Σni·μi + q·(Evbm+Ef)其中E(D,q)为缺陷晶胞的能量；
E(perfect)为完整晶胞的能量；
μi为缺失原子的化学势；
Evbm为价带顶的取值；
Ef为相对于价带顶的费米能级位置，取值为0~费米能级。

关于mofs缺失一个配体形成的缺陷，我打算按如下计算：
E(D,q)为缺失一个配体的能量；
q为电荷量，对于缺陷为一个负电荷，取值为-1；
ui为缺失的一个连接体的能量；
Evbm为缺陷mofs的价带顶；
Ef为缺陷mofs的费米能级；
请问一下这样算是否正确以及是否需要考虑缺氧和富氧条件？费米能级是一个范围，缺陷形成能算出来可能是一条有斜率的直线，该直线上的点哪一个代表缺陷形成能的取值？