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[综合讨论] 异质界面形成能计算求助

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本帖最后由 pendft 于 2025-3-5 13:26 编辑

想要计算异质界面的界面形成能,如图1,根据文献介绍计算公式,表达的意思应该是strain energy(晶格失配导致的应变能)使用的是slab model(表面模型)能量,其他使用的是bulk model(体相模型)能量;

文献名称是《《Elucidating Interfacial Phenomena between Solid-State Electrolytes and the Sulfur-Cathode of Lithium-Sulfur Batteries》

自己建立异质界面模型的方法:分别对如图2所示的电极和电解质体相模型切面,再使用material studio软件中的build layer功能建立异质界面,再添加20A左右的真空层,如图3这样;

自己理解:如图3这样建立的应该是异质界面的slab model,是否添加真空层时,长度参数设置为0A,就算是bulk model呢?

所以想求助下各位大神,异质界面的bulk model应该如何建立呢?这里的bulk model是指什么样式的模型呢?


图1.jpg (63.63 KB, 下载次数 Times of downloads: 2)

文献形成能公式

文献形成能公式

图2.jpg (78.93 KB, 下载次数 Times of downloads: 2)

电解质bulk模型(未切面)

电解质bulk模型(未切面)

图3.jpg (57.49 KB, 下载次数 Times of downloads: 2)

添加真空层的slab模型

添加真空层的slab模型

图4.jpg (105.94 KB, 下载次数 Times of downloads: 2)

未添加真空层的slab模型(是否为bulk model?)

未添加真空层的slab模型(是否为bulk model?)

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