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[新手求助] 空间电荷转移TADF分子的SOC计算和NTO分析使用哪个结构比较好

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本帖最后由 陈AG 于 2025-4-1 09:12 编辑

各位老师好,我在重复这篇文章分子2的计算时( DOI 10.1002/adfm.202411957),文章计算分子结构,计算项目,计算方法如附图所示。
1.基态优化(#p opt b3lyp/6-31g(d) scrf=solvent=toluene)
2.基于1的结构使用orca(! PBE0 def2-SVP CPCM(toluene) miniprint tightSCF defgrid2 pal4
%tddft
nroots 5
dosoc true
tda false
printlevel 3
end),得到SOCME(<S1|H_SO|T1>=0.04cm-1,<S1|H_SO|T2>=0.02cm-1,<S1|H_SO|T3>=0.0927cm-1,<S1|H_SO|T4>=1.3579cm-1);
3.同时基于1的结构计算能量(#p td=(50-50,nstates=10) PBE1PBE/def2SVP scrf=solvent=toluene IOp(9/40=4)),得到(S1=2.856 eV,T1=2.824 eV,T2=2.858 eV,T3=2.978 eV,T4=3.009 eV)
4.基于3的输出文件做NTO分析。
请问各位老师,
1.我的计算结果为什么跟文献的不一样呢,并且NTO分析也不一样,比如我分子2的T2基本是LE,而文献不是;
2.请问研究RISC过程,SOC和NTO是否用optT1的结构更好呢?

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分子2的T3电子空穴分析

分子2的T3电子空穴分析

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企业微信截图_17429757197928.png

企业微信截图_17423754161811.png (109.04 KB, 下载次数 Times of downloads: 18)

企业微信截图_17423754161811.png

T1-HE.png (587.56 KB, 下载次数 Times of downloads: 16)

分子2的T1电子空穴分析

分子2的T1电子空穴分析

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分子2的T2电子空穴分析

分子2的T2电子空穴分析

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分子2的T4电子空穴分析

分子2的T4电子空穴分析

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