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[VASP] 求助:可否删去表面部分原子然后做结构优化

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本帖最后由 Jsdwxdzy 于 2025-6-16 16:22 编辑

如图,使用Materials Studio切面时,修改top,原子出现顺序是1(Ti1)→2(Ba)→3(Ti2),但是我想将1、3原子暴露出来,不出现2原子,能否手动删去2原子,然后结构优化、吸附。

图1、删去2原子,结构优化时正常,表面不变形,但做吸附时电子步和离子步都比较难收敛
图2、不删去2原
另,一样的体系,文献中是没有Ba原子的;

1、 2、
感谢各位老师

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发表于 Post on 2025-6-16 16:44:11 | 只看该作者 Only view this author
这样操作改变了化合物的化学计量比,相当于是人为制造了阳离子空位。如果没有特别的理由,这种操作显然是不对的。

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3#
 楼主 Author| 发表于 Post on 2025-6-16 21:31:54 | 只看该作者 Only view this author
WilliamH 发表于 2025-6-16 16:44
这样操作改变了化合物的化学计量比,相当于是人为制造了阳离子空位。如果没有特别的理由,这种操作显然是不 ...

感谢老师回复!
我也感觉去掉不太对,不过我有一些疑问
1、切面之后我看了下,本身化学计量比和物质也不一样。(虽然如果由晶面反着构成体相确实化学计量比被改变了,这个我不太懂)
2、去掉Ba的计算结果,可以解释为Ba不暴露在表面吗?(如果Ba在表面可能会影响后续过渡态的计算)
3、因为这是某篇大论文一开始的结构,文献中也没有提到什么特别操作,但Ba是不存在的
再次感谢老师不吝赐教

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4#
发表于 Post on 2025-6-16 22:37:47 | 只看该作者 Only view this author
Jsdwxdzy 发表于 2025-6-16 21:31
感谢老师回复!
我也感觉去掉不太对,不过我有一些疑问
1、切面之后我看了下,本身化学计量比和物质也 ...

1、一般切表面后化学计量比理应与原胞相同。
2、判断晶体中哪些原子暴露的表面,通常的两种做法:一是根据实验结果(如XRD、TEM等),二是计算各晶面及其不同截止原子的表面能。
3、可以把文献和你切表面的方法都发出来,大家一起讨论起来会更有意义。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2025-6-17 10:29:52 | 只看该作者 Only view this author
对于1、2,感谢老师赐教!我切表面之后化学计量比确实与原胞不一样,犯错误了,这样的结果如果只用来算吸附能可以接受吗?(从结果来看比较合理,-1ev左右)
对于3:十分抱歉没找到怎么上传pdf,因此截了文献中的图和我的结构,分别为fig1、fig2,fig3
fig1:   fig2:   fig3:
由于一开始超胞是2*1*1,我切的表面和文献中方向不一样,不过结果是一样的。
论文地址是:https://escholarship.org/uc/item/43p5w7hj
Understanding Surface Chemistry of the BaTiO2.5H0.5 Perovskite Oxyhydride from First
Principles

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6#
发表于 Post on 2025-6-17 17:42:51 | 只看该作者 Only view this author
Jsdwxdzy 发表于 2025-6-17 10:29
对于1、2,感谢老师赐教!我切表面之后化学计量比确实与原胞不一样,犯错误了,这样的结果如果只用来算吸附 ...

“Each surface consists of a set of neutrally charged stoichiometric or nonstoichiometric terminations (see Figures 3.A1- 3.A5 in the Appendix [section 3.7] for details).”

原文中的建模细节其实讲的很清楚。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2025-6-18 09:31:54 | 只看该作者 Only view this author
WilliamH 发表于 2025-6-17 17:42
“Each surface consists of a set of neutrally charged stoichiometric or nonstoichiometric terminat ...

仔细看了一遍之后理解了,感谢老师!

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