本帖最后由 Uus/pMeC6H4-/キ 于 2025-7-8 11:09 编辑
用VMD看Gaussian隐式溶剂模型(IEFPCM/SMD)计算的溶质孔洞及定性表面电荷分布
Visualizing solute cavity and qualitative surface charge distribution in Gaussian implicit solvation model (IEFPCM/SMD) calculations with VMD Uus_pMeC6H4- (\ Init post 2025-07-05 /) Last edit 2025-07-08
对溶液相物质做量子化学计算时,溶剂对溶质的极化是隐式溶剂模型考虑的重点。可极化连续介质(PCM)类隐式溶剂模型需要构建溶质孔洞、将孔洞表面划分为大量面积微元碎片、求解每块小碎片上的显著表面电荷。对于广泛应用的IEFPCM和SMD而言,溶质孔洞通常由以原子坐标为中心、原子范德华半径与缩放因子的乘积为半径的球叠加而成,但也有溶剂排斥表面SES、溶剂可及表面SAS等选择,可以参考此帖的原理说明(注意此帖是近8年前写的,软件运行排障的内容未必仍然适用)。
对Gaussian计算而言,用GaussView 6打开输出文件,可以在Results - PCM Solvation Cavity查看溶剂孔洞,调节选项包括Solid、Mesh、Point等显示风格和单一、分原子等着色方式,如这张科音基础量子化学培训班的幻灯片所示(来自此帖)。
本帖将提供一个读取Gaussian计算输出的文件、在VMD里观看溶质孔洞的方法,以获得调节灵活度更高的效果。相关脚本在下述压缩包里,下载后需将其中solcav.vmd和GeomView.vmd两个文件移到VMD目录下,修改vmd.rc(或.vmdrc)文件添加source solcav.vmd一行,保存并重新启动VMD。在VMD命令行里输入solcav --help命令,如果产生一长串帮助信息即说明脚本生效。
solcav.zip
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