求助利用CP2K结合Multiwfn求在核的有效电子密度差

tanzicong

第一次发帖，如果不规范之处，烦请指出，一定会按照论坛须知修改
之前一直在做表面吸附和催化的DFT理论计算，最近在大老板的要求下转去做重同位素理分馏的论计算。在阅读参考资料时（见图1），第一次遇到“有效电子密度差”的概念。

（图1）

（a）有效电子密度，相对好理解，我简单认为是最内层的轨道上电子密度（不一定对）
（b）但是“接触电子密度”，它指的是原子核上的电子密度，根据ppt的定义，我的计算思路如下：
       （1）利用CP2K完成结构优化和SCF计算，并生成对应的.molden文件
         (2）利用Multiwfn读取.molden，并通过功能“1 Output all properties at a point ”--输入“a1”读取a1原子核的位置。
        问题1：输出中 “Density of all electrons:  0.5081609398E-04”可否认为时该点的在核有效电子密度？
        如果不能，则有问题2：当程序输出了a1原子核位置的时候，应当通过哪些数据计算出该点的电子密度？

感谢各位同行解答

sobereva

你在Multiwfn里的操作没问题，但不能用赝势基组，要不然原子核位置的密度近乎为0，没法对比。必须用GAPW结合全电子基组计算

我之间并未听说过这两个概念，我认为远不如用原子电荷求差有意义。参考下文的综述

一篇深入浅出、完整全面介绍原子电荷的综述文章已发表！
http://sobereva.com/714（http://bbs.keinsci.com/thread-46067-1-1.html）