求助：过硫酸盐（PMS）的VASP计算参数该如何设置

astms123 · 发表于 Post on 2026-2-3 22:04:20

最近在做单原子催化剂活化PMS相关的计算，从论坛之前的一些帖子了解到VASP计算PMS这种带电阴离子体系存在缺陷，目前看的文献也没有提到如何处理这种情况（貌似是直接把PMS当作中性分子来计算），现在看到的主要处理方法有三种：
（1）直接修改NELECT价电子数
（2）引入抗衡的金属阳离子（如Na离子）
（3）不管，当成中性分子计算
我用的第一种方法发现计算会报错（VASP输入文件及OUTCAR都在附件），请问各位老师是如何计算PMS相关体系的？

ljh123 · 发表于 Post on 2026-2-4 00:03:22

环境专业大部分的做法都是（2）吧。但是（2）的方法是偷偷摸摸的，文章里不写出来的。讲究些的话应该是用SCPC矫正。（1）和（3）就是单纯的自我安慰

astms123 · 发表于 Post on 2026-2-4 14:45:40

ljh123 发表于 2026-2-4 00:03
环境专业大部分的做法都是（2）吧。但是（2）的方法是偷偷摸摸的，文章里不写出来的。讲究些的话应该是用SC ...

谢谢老师！那我去看看SCPC矫正

zblxyrz · 发表于 Post on 2026-2-4 17:29:51

第二种方法我觉得应该是合理的，不过我做吸附发现并不会像实验那样断下H来，反倒断下来了-OOH

ljh123 · 发表于 Post on 2026-2-4 17:36:35

zblxyrz 发表于 2026-2-4 17:29
第二种方法我觉得应该是合理的，不过我做吸附发现并不会像实验那样断下H来，反倒断下来了-OOH

(2)的方法如果把抗衡离子固定在真空中的话，总感觉会引入人为不合理的痕迹。不固定的话，又会在吸附能里加入抗衡离子和PMS以及材料表面的结合能项。不过这也是没办法的办法了，毕竟其他方法又麻烦而且限制也大

ljh123 · 发表于 Post on 2026-2-5 20:24:49

恐怕SCPC方法不太适合了。我刚刚看了一下SCPC原文，slab体系是需要在结构优化的时候就加入SCPC矫正，并不断更新参考态的（原文：The success of a posteriori correction methods indicates that, in case of deep-level bulk defects, SCPC need only to be applied for the final geometry. On the other hand, in slabs with ghost states, SCPC must be used during the geometry optimization process with frequent update of the reference.）
但是目前SCPC矫正仅支持静态计算，不能用于受力计算

		自动登录 Automatic login	找回密码 Forget password
密码 Password			注册 Register

[VASP] 求助：过硫酸盐（PMS）的VASP计算参数该如何设置

浏览过的版块