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[Gaussian/gview] 使用热力学组合方法计算单点能出现的自旋污染问题

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本帖最后由 MirrirFlower 于 2026-4-3 11:36 编辑

研究对象为自由基聚合反应的过渡态结构,使用热力学组合方法(CBS-QB3、G4)计算单点能,Gaussian能正常收敛,但结果存在自旋污染,两种方法下的<s**2>都在1附近,本研究体系的自旋多重度为2,电荷检查没问题,理论<s**2>=0.75,这种差异下计算的单点能应该不可靠,关键词是【#P G4=SP scrf=(iefpcm,solvent=water) geom=connectivity 】,请问各位大佬应该如何解决该问题。

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发表于 Post on 2026-4-3 11:21:59 | 只看该作者 Only view this author
那叫自旋污染

要说明哪部分输出的<S**2>,SCF波函数的自旋污染大不意味着后HF计算过程(如CCSD)的波函数自旋污染大

如果后HF部分自旋污染也显著,用其它方法算;如果非要用CBS-QB3,改用RO形式,写ROCBS-QB3
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2026-4-3 12:33:21 | 只看该作者 Only view this author
sobereva 发表于 2026-4-3 11:21
那叫自旋污染

要说明哪部分输出的,SCF波函数的自旋污染大不意味着后HF计算过程(如CCSD)的波函数自旋 ...

谢谢sob老师的解答,已经更改成自旋了。在G4计算结果中,UB3LYP\GTBas3  S2=0.776116  UCCSD(T)\GTBas1 S2=0.999989 ,后面其他计算结果也是在1附近。在CBSQB3计算结果中,UB3LYP\6-311G(2d,d,p) S2=0.774744,UCCSD(T)-FC\6-31+(d') S2=0.991179,后面其他计算结果也是在1附近。输出文件在附件中。后面会尝试用ROCBS-QB3计算。我主要是为了计算反应能垒,利用过渡态去计算化学反应速率,想要使用一些高精度方法,如果使用其他计算方法,有什么推荐的吗。

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发表于 Post on 2026-4-4 11:39:57 | 只看该作者 Only view this author
MirrirFlower 发表于 2026-4-3 12:33
谢谢sob老师的解答,已经更改成自旋了。在G4计算结果中,UB3LYP\GTBas3  S2=0.776116  UCCSD(T)\GTBas1 S ...

并不建议用热力学组合方法算过渡态,本来就不是为计算过渡态专门设计的方法
而且热力学组合方法这种多步的过程,计算过程中产生的信息一大堆,UCCSD(T)\GTBas1 S2=0.999989这种数据哪步产生的、是否有意义都难以弄清楚。还不如老老实实自己手动用CCSD(T)做计算,自行检查输出信息,并结合Shermo产生热力学数据。而且G4里面还牵扯UMP形式的微扰,容易遭受自旋污染大恶化结果的问题,而耦合簇的自旋污染普遍小得多得多。而且Gaussian还支持没自旋污染的Bartlett提出的ROCCSD(T)形式

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MirrirFlower + 4 谢谢sob老师!

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