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标题: 求助在高斯中插入背景电荷的方法 [打印本页]

作者
Author: wILlD 时间: 2019-3-7 11:22
标题: 求助在高斯中插入背景电荷的方法
在文献DOI: 10.1021/acs.jpca.6b09852 中提到在经过ONIOM方法结构优化以后，为了考虑周围分子的影响，计算高层分子频率时，使用了背景电荷。我想请问在高斯频率计算加入charge关键词后，如何加入大量低层分子的电荷呢？需要先对体系做单点能分析，然后使用软件提取出来嘛？大致的步骤是怎么样的呢？

作者
Author: sobereva 时间: 2019-3-7 12:57
帮助设定Gaussian输入文件中优化flag和MM电荷的小工具
http://sobereva.com/332（http://bbs.keinsci.com/thread-3464-1-1.html）

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