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标题: 求一篇文献。理论计算荧光，S1的振子强度对泛函的依赖 [打印本页]

作者
Author: zhujianhao 时间: 2019-10-4 20:23
标题: 求一篇文献。理论计算荧光，S1的振子强度对泛函的依赖
本帖最后由 zhujianhao 于 2019-10-4 20:31 编辑

1：背景介绍：我是理论计算延时荧光的（TADF），理论计算s1的阵子强度时发现用不同的泛函得出的阵子强度是不同的。
2：问题：用b3lyp，pbe0，m062x等泛函优化第一激发态，得到的振子强度差距较大。我看帖子有很多类似的问题，想请问各位老师有具体的文章阐述阵子强度对泛函的依赖吗？尤其是体系是CT态时。想在写文章时引用一下。谢谢各位老师。

作者
Author: sobereva 时间: 2019-10-5 04:51
你先去看那些泛函算出来的S0-S1跃迁的特征，比如如果通过空穴-电子分析上看，跃迁特征差异很大，振子强度相差大是很正常的
不同泛函下给出的激发态顺序可能存在明显差异

另外，Multiwfn里可以把决定振子强度的跃迁偶极矩分解为轨道的贡献、原子的贡献、空间位置的贡献，很容易弄清楚本质
分解为片段的贡献：
使用Multiwfn+VMD绘制片段贡献的跃迁偶极矩矢量
http://sobereva.com/396（http://bbs.keinsci.com/thread-7459-1-1.html）
分解为位置的贡献，以及通过热图考察跃迁偶极矩构成：
使用Multiwfn绘制跃迁密度矩阵和电荷转移矩阵考察电子激发特征
http://sobereva.com/436（http://bbs.keinsci.com/thread-11383-1-1.html）
分解为轨道的贡献：看Multiwfn手册4.18.10节的例子

作者
Author: zhujianhao 时间: 2019-10-8 17:12

sobereva 发表于 2019-10-5 04:51
你先去看那些泛函算出来的S0-S1跃迁的特征，比如如果通过空穴-电子分析上看，跃迁特征差异很大，振子强度相 ...

好的谢谢sob老师

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