求助在高斯中插入背景电荷的方法

查看数: 8591 | 评论数: 1 | 收藏 Add to favorites 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2019-3-7 11:22

在文献DOI: 10.1021/acs.jpca.6b09852 中提到在经过ONIOM方法结构优化以后，为了考虑周围分子的影响，计算高层分子频率时，使用了背景电荷。我想请问在高斯频率计算加入charge关键词后，如何加入大量低层分子的电荷 ...

回复 Reply

sobereva 发表于 Post on 2019-3-7 12:57:24

帮助设定Gaussian输入文件中优化flag和MM电荷的小工具
http://sobereva.com/332（http://bbs.keinsci.com/thread-3464-1-1.html）

		自动登录 Automatic login	找回密码 Forget password
密码 Password			注册 Register