| 您好，问一下，你这个计算hirshfeld charge。不需要先结构优化，然后再进行自洽计算的吗？还有我想问一下，计算hirshfeld charge用VASP 4.6的版本可以做这个计算吗 |
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xxzj 发表于 2021-7-30 20:45 Hirshfeld charge是原子电荷，每个原子一个数值 静电势是三维实空间函数，三维空间每个点一个数值 Hirshfeld charge用于考察原子带净电荷的情况，静电势能一定程度反映当前体系与其它物质的静电相互作用情况，各有各的用处 相关基本知识看 静电势与平均局部离子化能相关资料合集 http://bbs.keinsci.com/thread-219-1-1.html 原子电荷计算方法的对比 http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract27818.shtml |
sobereva 发表于 2020-3-26 16:39 老师，我想请问一下，计算Hirshfeld charges和静电势有什么区别，二者可以进行结合分析吗，通过Hirshfeld charges得到具体的数值，然后ESP通过图展现？ |
竹影曳88 发表于 2020-10-13 20:40 不好意思才看到，我就是在INCAR里加了IVDW=21，在OUTCAR里就有结果了，搜索关键词Hirshfeld就出现了 |
| 你好，请问用VASP计算Hirshfeld电荷需要在INCAR中怎样设置？我尝试了IVDW = 21或22及LVDW打开还是不打开的不同情况，得到的OUTCAR中都没有Hirshfeld电荷的相关信息。你能告诉我INCAR具体要怎么设置吗 |
本帖最后由 卡开发发 于 2020-3-28 15:20 编辑 xp47 发表于 2020-3-28 12:05 也和这个没关系，其实是看INCAR中VDW_REFSTATE是怎么设置，如果默认啥都不设置就是0. 然后后面： if (sum*(refstate**2)>0) then lionic=t。 |
卡开发发 发表于 2020-3-27 23:34 不是对于体系是否电中性的，应该是体系中是否存在强极性。如果体系没有极性（比如统一的原子类型如石墨烯）就没啥差别。如果不同，特别是比如金属氧化物差别就很大。IVDW=4的方案使用的是iter Hirshfeld_domain（和22/21之类的方案不一样虽然都是HI）。他们的第一部等价于20/2（即您说的wc的部分）。 |
本帖最后由 卡开发发 于 2020-3-28 00:25 编辑 xp47 发表于 2020-3-27 21:53 代码看了，主要还是LIONIC这里的差异，如果体系是电中性的，几乎是没差异的（weight_charge vs hirshfeld_iterative，如果我没漏看代码的话，然后您可以看下2230格式都在哪个位置出现）。而传统的Hirshfeld不做非电中性的区分，您要不看看Multiwfn手册上Hirshfeld定义是怎样的？ |
mingfan 发表于 2020-3-27 21:55 精确来说Z方向的真空层需要大于 H方案的cutoff。不改变cutoff的情况下可以手动停止Z方向的Periodical |
xp47 发表于 2020-3-27 21:31 谢谢回复！我已经在z方向加了真空层 |
本帖最后由 xp47 于 2020-3-27 22:20 编辑 卡开发发 发表于 2020-3-27 21:45 可能您不了解VASP中的IVDW=22或21中的HIRSHFELD部分或者周期性体系的HIRSHFELD方案，建议您看下之前周期性HIRSHFELD，VASP的代码。在VASP中，2/20是hirshfeld_domxxx，在这个部分，会detect 以下ionic状态等等.... 21/22等用的是hirschfeldxxxx。背后是为了更好的接近CDDs。 |
本帖最后由 卡开发发 于 2020-3-27 21:49 编辑 xp47 发表于 2020-3-27 21:26 对标准的Hirshfeld布居，就是做到使用自由原子密度来划分空间，并不需要后续过程。LZ给出的问题是对比Multiwfn的例子，而例子中是标准的Hirshfeld布居而非Hirshfeld-I。 |
mingfan 发表于 2020-3-27 21:15 此处 如果是二维材料，强烈建议在做计算是手动停掉这部分Z方向的周期性。 |
本帖最后由 xp47 于 2020-3-27 21:33 编辑 mingfan 发表于 2020-3-27 21:00 22是没有采用任何补偿的方案。如同23 24 25 26和3 4 5等都没有在手册里。所以22也叫HI-TS-FO，21只是HI-TS。两者都不要看Hirshfeld的部分，这部分是不对的，缺少了很多部分（参考前面的留言）。对比Hirshfeld那么采用2/20 或者22/21的第一步H-I （LFirst=.True.时）。同时2/20考虑下要不要SCS |
本帖最后由 卡开发发 于 2020-3-27 21:56 编辑 mingfan 发表于 2020-3-27 21:15 你如果要得到Hirshfeld电荷，那就应该读取Hirshfeld电荷的结果；如果是要读取Hirshfeld-I，那应该读取Hirshfeld-I的。这两种电荷在定义和实际做法是有些许差异的。如果你的问题是，为啥同样做标准的Hirshfeld布居，VASP的结果和Multiwfn的例子有所不同，我的答复是： 1、可能是泛函不同，你很可能用的是PBE（我看不到你全部的INCAR），而例子的wfn用的是B3LYP； 2、基组方面有差异，例子用的是6-31G*而VASP用的是平面波+PAW。 如果你问，Hirshfeld或Hirshfeld-I哪个更好，那肯定是Hirshfeld-I好点，不过也就那样。 |
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