wzkchem5 发表于 2021-6-20 23:38
你这个分子似乎是近似D6h对称性，因为Jahn-Teller对称性破缺才变成D2h的。从D6h约化到D2h的方式不止一种 ...

噢噢，好的，谢谢

SS123 发表于 2021-6-20 14:40
嗯，这个就不太清楚了，因为文献中只给出了这样一个表格，所有详细的计算过程和关键词的使用并未给出，因 ...

你这个分子似乎是近似D6h对称性，因为Jahn-Teller对称性破缺才变成D2h的。从D6h约化到D2h的方式不止一种。比如你想象一下互为对位的两个B原子，把这两个B原子拉近或拉远，都可以得到D2h的结构，但是这两个结构是不等价的，一个扁，一个长。可能文献用的是其中一个，你用的是另一个。
我之前做过这方面的研究，在BDF程序里做了一个功能，给定任意高对称性点群的、存在Jahn-Teller效应的分子，同时给定该分子的电子态的不可约表示，程序可以自动把对称性破缺的方向找全。这方面工作暂时没有完全发表，但是在https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5143173这篇文章的Fig. 3简单提了一下

wzkchem5 发表于 2021-6-20 20:33
怀疑是不是优化的方法和文献有一些微小的区别。另外建议也检查一下window的设置是不是和文献严格一致。我 ...

嗯，这个就不太清楚了，因为文献中只给出了这样一个表格，所有详细的计算过程和关键词的使用并未给出，因此所有的计算过程都是在摸索。但是我重复文献中闭壳层体系结果是没问题的。关于这个开壳层体系的重复计算遇到了问题。。。

SS123 发表于 2021-6-20 11:01
文献中并没有给出分子坐标，所以我只能根据最终的电子态和点群对称性来判断

怀疑是不是优化的方法和文献有一些微小的区别。另外建议也检查一下window的设置是不是和文献严格一致。我暂时想不到其他可能原因了

wzkchem5 发表于 2021-6-20 17:59
我是说优化出来的分子坐标。文献应该会给出分子坐标，你的分子坐标和文献是严格一致的吗

文献中并没有给出分子坐标，所以我只能根据最终的电子态和点群对称性来判断

SS123 发表于 2021-6-20 10:22
嗯嗯，多重度和电子态都是一致的

我是说优化出来的分子坐标。文献应该会给出分子坐标，你的分子坐标和文献是严格一致的吗

wzkchem5 发表于 2021-6-20 15:59
是我搞错了，我试了一下，发现写在里面和写在外面都对，我之前只知道写在外面是对的，因此误以为不能写在 ...

嗯嗯，多重度和电子态都是一致的

SS123 发表于 2021-6-20 08:40
算基态电离能的时候是不用window关键词的，而且window关键词是属于TD的关键词，他不应该写在TD括号外吧

是我搞错了，我试了一下，发现写在里面和写在外面都对，我之前只知道写在外面是对的，因此误以为不能写在里面。
你确认一下，分子结构和文献是严格一致的吗？

wzkchem5 发表于 2021-6-20 15:18
把window的位置改了以后，也是这个数吗？按你原来的输入文件的写法，高斯会忽略你写的window

算基态电离能的时候是不用window关键词的，而且window关键词是属于TD的关键词，他不应该写在TD括号外吧

SS123 发表于 2021-6-20 08:01
好的，文献中给出的是1.94eV，而我算出来是1.91eV，两者相差不大

把window的位置改了以后，也是这个数吗？按你原来的输入文件的写法，高斯会忽略你写的window

wzkchem5 发表于 2021-6-19 23:12
不用额外写。比如你的泛函是BP86，UKS就是写UBP86，ROKS就是写ROBP86。当基态自旋多重度大于1时，写BP86 ...

好的，文献中给出的是1.94eV，而我算出来是1.91eV，两者相差不大

SS123 发表于 2021-6-19 15:36
请问老师，使用“unrestricted reference（UKS）”是什么意思？我需要加什么额外的关键词么？
VDE的计算 ...

不用额外写。比如你的泛函是BP86，UKS就是写UBP86，ROKS就是写ROBP86。当基态自旋多重度大于1时，写BP86等价于写UBP86，所以不需要写那个U。
你应该给一下你算出来的基态电离能，有了基态电离能，我们才能比较你算出来的激发能和文献的VDE

wzkchem5 发表于 2021-6-19 21:58
你写的输入应该基本上是对的，有一个小问题，window关键字应该写在TD那个括号外面，就是说window和TD是并 ...

请问老师，使用“unrestricted reference（UKS）”是什么意思？我需要加什么额外的关键词么？
VDE的计算是中性基态与负离子基态单点能之间作差，这个计算是没问题的，而且与文件结果吻合的很好。

SS123 发表于 2021-6-19 13:47
老师，关键是开壳层体系的TDDFFT应该如何计算？请问具体的流程应该是怎样的？

你写的输入应该基本上是对的，有一个小问题，window关键字应该写在TD那个括号外面，就是说window和TD是并列的，不是TD内部的一个关键字。但这个问题对激发能影响不大。
如果在高斯里计算自旋为S和S+1的激发态，一般应该以最低的自旋为S的态为基态，并用unrestricted reference（UKS）。这样算出来的态有一个问题，就是有自旋污染，得到的不是纯的自旋S、自旋S+1的态。比如你的输出文件里就有很多态的自旋多重度是3.7、3.8之类。这个问题在高斯内部无法解决，即使改成ROKS也不行（ROKS只能解决基态自旋污染，解决不了激发态自旋污染），除非改为用CASSCF算，但那样计算量又太大了。如果要在TDDFT框架下解决激发态自旋污染问题，应该用orca、Q-Chem、BDF等软件，这些软件支持自旋匹配的TDDFT方法（DFT/ROCIS、XCIS、X-TDDFT）。
另外，你在和文献比较的时候，考虑到VDE不等于激发能了吗？VDE和激发能之间差一个基态电离能