| 如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示,求助帖必须在帖子标题清楚、准确反映出帖子具体内容,避免有任何歧义和含糊性,仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “偶极矩问题” 改了,以后务必注意! |
本帖最后由 liurq 于 2024-7-8 20:11 编辑 zjxitcc 发表于 2024-7-8 20:05 好的,谢谢老师,很感谢您的解惑,我会加以修改 |
本帖最后由 zjxitcc 于 2024-7-8 20:07 编辑 liurq 发表于 2024-7-8 19:40 建议:使用外加电场时最好加上nosymm关键词做计算,不然分子朝向有点迷惑。 回答:算个CCSD(T)单点能然后输出文件读偶极矩,这肯定是错的。你的另一种做法(能量对外电场的导数)思路是对的,但我不知道有没有意义,因为有两点我不确定:(1)没加nosymm,不知道是什么朝向,有没被旋转;(2)Gaussian的CCSD(T)是否严格考虑了外加电场的响应。 |
本帖最后由 liurq 于 2024-7-8 19:43 编辑 zjxitcc 发表于 2024-7-8 19:24 谢谢您答疑,请问这两种方法做出来的数值都没有意义吗?可是它们又为什么会差别这么明显呢? |
| 你从高斯的log文件里直接读出的偶极矩,是在"population analysis using the SCF density"下面吧,这个是基于HF的密度做的。高斯做不了CCSD(T)的密度,CFOUR可以。 |
| 高斯CCSD(T)没有 非弛豫密度,无法解析计算偶极矩,你在log文件中看到的是HF方法的低精度偶极矩。 |
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