好好学习 发表于 2018-1-10 16:33 你好,我想问一下您后来有计算S1-S0过程的非辐射过程吗? 找到相关计算文献了吗? |
好好学习 发表于 2018-1-11 15:03 scan 二面角的不好判断,实际不一定是二面角引起的结构改变。 |
| 对于这种存在势能面交叉的情况,确定是S2态发光吗?还有S2优化时容易收敛到了S1构型,这时不好确定S2 |
好好学习 发表于 2018-1-10 17:16 或许存在“势能面交叉”呢。 你看看, 你计算得到的激发能排序都乱了呢。 |
| 同样出现了楼主这样的情况,扫描势能面的结构是一样的。当计算辐射跃迁速率时选用S1优化好的构型吗? |
小范范1989 发表于 2018-1-10 17:47 我用scan命令扫了720度 找到几个能量极小点,但他们结构是一样的,没有找到其他构型 |
好好学习 发表于 2018-1-10 17:16 优化S1和优化S2,得到的构型不一样,然后在各自的构型下分别td的S2和S1振子强度不一样很正常,之前论坛里出现过这样的结果很多次(你可以搜搜找找)。 我觉着,是不是可以扫一个构型看看,看看能不能找到另外一个构型,再基于另外一个构型opt td? 个人见解,不一定对哈。 |
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说一下我的理解,不一定对哈。 1:你opt td得到的振子强度很小,会不会有其他构型发光?你只是找了这么一个构型。另外构型你没找到? 2:如果楼主想计算从S2发光。同时还有4楼的回复, 我见过一个文章,好像说优化的S1振子强度为0,然后就从S2发光,把S2看成S1.如下的文章: For vertical electron excitation, the S0 to S1 transition of DC–TC locates at the benzilmoiety and has a much smaller oscillator strength (f z 0) than S2; the latter is regarded as S1 in the following discussion. 文章:“Rate-Limited Effect” of Reverse Intersystem Crossing Process: the Key for Tuning Thermally Activated Delayed Fluorescence Lifetime and Efficiency Roll-Off of Organic Light Emitting Diodes |
sobereva 发表于 2018-1-10 16:06 谢谢老师耐心的解答 非常感谢! 老师 我之前看到说判断S1到S0的非辐射过程可以通过判断3个量定性分析:1.绝热激发能(值越大越困难);2.重组能(值越大越容易);3.非绝热耦合向量(?)。 我的问题:1.以上说法是否正确?有没有参考文献或书? 2.非绝热耦合向量是什么?它和非辐射跃迁的关系是什么?它理论计算吗?假设能,怎么算? |
好好学习 发表于 2018-1-10 15:49 1 是 2 计算起来非常困难、麻烦,建议别折腾。一般通过S1和S2绝热能量差就可以粗略估计是否容易内转换 3 计算S1和S2的交叉往往得用CASSCF之类,比较费事耗时,不建议鼓捣 |
sobereva 发表于 2018-1-10 16:03 明白了。感谢sob老师! |
让你变成回忆 发表于 2018-1-10 15:52 你设的root=2就会优化优化S2(是指对于初始结构判断为S2的态。也有可能优化过程中与S1交叉,导致优化后的极小点上这个态成了最低激发态)。 |
sobereva 发表于 2018-1-10 15:13 借楼请教sob老师一个问题: 针对这种情况,如果对激发态进行优化,是否有可能S2变成S1,从而S1发射? |
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