VASP计算吸附能数值过大

yuzj41d · 发表于 Post on 2021-11-24 21:12:30

本帖最后由 yuzj41d 于 2021-11-24 21:17 编辑

想请问一下各位老师为啥我用VASP DFT+U算的CeO2（111）表面与多硫化物（目前算了li2s，li2s6，li2s8）的吸附能都在 -49.84 eV,-49.18 eV,-48.86 eV这么大的数值？
我在建模时候建了三层然后固定下面两层优化最上层。
POSCAR INCAR 和吸附位点如下图

wzkchem5 · 发表于 Post on 2021-11-24 22:08:06

检查吸附前后CeO2的原子数是否一样，晶胞常数是否一样。
如果还是找不到问题所在，把吸附前后，以及Li2S的POSCAR、INCAR都贴上来，不要只贴吸附后的

renzhogn424 · 发表于 Post on 2021-11-24 22:29:59

请教一下吸附能是如何计算的？？结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量？

yuzj41d · 发表于 Post on 2021-11-25 20:57:36

本帖最后由 yuzj41d 于 2021-11-25 20:59 编辑

依次是 CeO2 的 POSCAR

INCAR

CONTCAR

li2s 的POSCAR

INCAR

CONTCAR

yuzj41d · 发表于 Post on 2021-11-25 21:01:57

wzkchem5 发表于 2021-11-24 22:08
检查吸附前后CeO2的原子数是否一样，晶胞常数是否一样。
如果还是找不到问题所在，把吸附前后，以及Li2S的 ...

仔细检查了原子数与晶胞参数没找到问题，吸附前的POSCAR INCAR & CONTCAR 以及Li2S的 POSCAR INCAR & CONTCAR贴在最新回复里了求教大佬

yuzj41d · 发表于 Post on 2021-11-25 21:03:16

renzhogn424 发表于 2021-11-24 22:29
请教一下吸附能是如何计算的？？结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量？

我是按你说的这个 “结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量” 计算的

KUZZZAN · 发表于 Post on 2021-12-16 01:03:35

yuzj41d 发表于 2021-11-25 21:03
我是按你说的这个 “结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量” 计算的

我也遇到了类似的问题，请问你是怎么解决的？

卡开发发 · 发表于 Post on 2021-12-19 01:44:45

yuzj41d 发表于 2021-11-25 21:03
我是按你说的这个 “结合的能量减去没有吸附质的能力再减去只有吸附质的能量” 计算的

几个OUTCAR发上来看看吧。

yuzj41d · 发表于 Post on 2021-12-23 20:49:52

KUZZZAN 发表于 2021-12-16 01:03
我也遇到了类似的问题，请问你是怎么解决的？

我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T IDIPOL = 3”后吸附能就回归正常数值了。

yuzj41d · 发表于 Post on 2021-12-23 20:54:40

本帖最后由 yuzj41d 于 2021-12-23 21:10 编辑

卡开发发发表于 2021-12-19 01:44
几个OUTCAR发上来看看吧。

谢谢卡开发发老师，我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T IDIPOL = 3”后吸附能就回归正常数值了。不过我有个新问题想请教您，想请问您我将一个晶胞优化后切下一个三层的表面，我这时候可以直接固定下面两层优化最上面一层吗？还是要先将该三层都优化后再进行固定？

卡开发发 · 发表于 Post on 2021-12-23 22:28:37

yuzj41d 发表于 2021-12-23 20:54
谢谢卡开发发老师，我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T ...

1、

我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T IDIPOL = 3”后吸附能就回归正常数值了。

这个按道理不应该。
2、最好不要这样，保证充分的层高才是最稳妥的。

yuzj41d · 发表于 Post on 2021-12-23 22:49:48

卡开发发发表于 2021-12-23 22:28
1、
这个按道理不应该。
2、最好不要这样，保证充分的层高才是最稳妥的。

1.这个我确实是调试过绝大多数参数后没啥变化，控制只加上“LDIPOL = T IDIPOL = 3”后吸附能确实在-2.47到-3.46 eV了.
2.请问“充分的层高”能具体说一下吗？

卡开发发 · 发表于 Post on 2021-12-23 23:21:22

yuzj41d 发表于 2021-12-23 22:49
1.这个我确实是调试过绝大多数参数后没啥变化，控制只加上“LDIPOL = T IDIPOL = 3”后吸附能确实在-2.4 ...

1、按道理不应该，开了偶极矩修正应该吸附能会上升。
2、充分层高指的就是表面厚度充分。

vasplearner · 发表于 Post on 2023-12-26 17:28:13

yuzj41d 发表于 2021-12-23 20:49
我的问题应该是表面吸附未加偶极校正导致的，在优化表面和吸附结构时加入“LDIPOL = T IDIPOL = 3”后吸 ...

为什么我加了偶记矫正吸附能还是很大，跟你一样的体系，吸附的Li2S4

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