优化晶胞过程中设置参数ISIF=2,和ISIF=3的一些疑问

吴双

大家好，我在用VASP优化晶胞过程中遇到了一些问题，希望各位老师帮忙解答一下。我在用VASP优化一个晶胞a=b=c=32, 真空度20。一开始用的ISIF=3,固定了c方向的大小（VASP固定基矢）, （保证了优化过程中真空度不发生改变），现在想用ISIF=3,不固定c方向的基矢，优化结束之后，将优化好的结构重新放入一个a=b=c=32的晶胞，设置ISIF=2这样的话，同样也保证了真空度不发生改变，请问一下这两种方法是一样的么？

jiangning198511

问题描述的不太清楚，晶胞 a=b=c=32 真空度20  说明你的实际材料 a=b=32 c=32-20 ?
你如果是表面计算 一般不会优化晶格参数(使用实验参数)，或者优化bulk晶格 然后在此基础上切割表面；如果要优化a，b值，论坛里有相关教程 可以参考