关于SiO2纳米团簇的建模调整表面羟基数量问题

zx520054 · 发表于 Post on 2024-6-17 12:04:02

请问有没有人尝试过改变SiO2纳米团簇的表面羟基数量（或密度），有没有推荐的比较合理的调整方法。本人采用将临近的羟基进行脱水缩合的方式减小表面羟基数，形成的SiO2拓扑结构导入vmd中会出现异常的键连关系或者原子之间键缺失的情况！谁有比较合理的方法可以推荐下吗，十分感谢！

雷阵雨 · 发表于 Post on yesterday 14:21

请问你是手动改的吗，有找到更合适的方法吗

		自动登录 Automatic login	找回密码 Forget password
密码 Password			注册 Register

[Material Studio] 关于SiO2纳米团簇的建模调整表面羟基数量问题