如何计算生长Y2O3后再清洗掉Y2O3后的MoS2与HfO2的结合能

liuruhai

原始MoS2比较难在上面生长HfO2，实验组为了在MoS2上生长HfO2先在MoS2上生长了一层Y2O3然后再用HCl清洗掉了这层Y2O3，现在希望计算下原始MoS2与HfO2的结合能和生长Y2O3后再清洗掉Y2O3后的MoS2与HfO2的结合能，想请问下生长Y2O3后再清洗掉Y2O3后的MoS2应该咋构建呢？VASP能够仿真出来吗？或者有什么其他方法能够仿真说明生长Y2O3后再清洗掉Y2O3后能够使MoS2与HfO2更好结合吗？

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这看起来并不是一个简单的理论计算问题，更像是需要自己查阅文献考虑
1. 表面沉积的氧化钇对于硫化钼表面态的影响；
2. 酸处理后残留氧化钇（如有）对于硫化钼的影响；
3. 酸处理实验本身对于硫化钼的影响。
由于我并不开展此类实验，并不能提供进一步的建议，我大概能够想到的就是这么多。

注：纯自己观点，不妨测一测XPS（X射线光电子能谱），XPS结果往往能反应其表面态，尤其是电子情况，这些数据可能对你有帮助，同理，理论计算也是，计算其电子结构，例如COHP成键分析之类。
这儿是讨论理论计算的，不说多了。