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你好,我仔细看了一下优化S1的输出文件,找到最后一步算出来的激发能。
Excited State 1: Singlet-A 3.1014 eV 399.77 nm f=0.0006 <S**2>=0.000
82 -> 84 -0.43399
82 -> 85 -0.20388
82 -> 86 0.17538
83 -> 84 -0.39082
83 -> 85 -0.18390
83 -> 86 0.15827
This state for optimization and/or second-order correction.
Total Energy, E(TD-HF/TD-DFT) = -1119.32174395
问题:
1. 如果用#p M062X/6-311G** TD(singlet) opt 优化S1,得到能量:HF=-1119.435718,加上上面算出来的激发能,3.101 eV,然后再减去基态的能量,HF=-1119.4630908,那么最后的绝热吸收能应该是3.846 eV,跟垂直激发能 4.5067 eV相比,小了0.661 eV。
2. 也可以用上面红色的能量E(TD-HF/TD-DFT) = -1119.32174395,直接减去基态能量HF=-1119.4630908,那么差值是3.85 eV。跟上面的值是一样的。
那么0.661 eV这个值我觉得还挺合理的,你们怎么看呢?谢谢。
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