单点能加低精度吉布斯能矫正的问题

swdday

您好，最近看了些文章，发现有的文章用B3LYP/6-311++G(d,p)级别的泛函做结构优化和频率计算得到吉布斯能矫正项，然后直接用这个结构用CCSD(T)/6-31(d)算单点能。最后用CCSD(T)的单点能+B3LYP的吉布斯能矫正项来近似CCSD(T)级别的吉布斯能,请问这种方法可取么？
我选用了我自己做的一个计算，B3LYP/6-311+G(d,p)级别的泛函做结构优化和频率计算得到吉布斯能矫正项，然后用wb97xd/6-311+G(d,p)算单点能，最后相加。另外一个直接用wb97xd/6-311+G(d,p)做优化和频率计算。比较两者的结果，过渡态的deltaG有1kcal/mol的差别，这种结果可以接受么？

agent99

CCSD(T)/6-31(d)算单点能。。。无力吐槽

回到你的问题，低精度结构/频率+高精度电子能这样做是没问题的，很多人都这么干。1kcal/mol可以接受

sobereva

CCSD(T)/6-31(d)纯属搞笑
算单点的级别应当明显高于优化的级别，对于第一个计算，wB97XD本身耗时比B3LYP高得有限，B3LYP用得动则必然用得动wB97XD，审稿人稍微机灵一点就会问你干嘛优化时候不用wB97XD。

用常规泛函优化，则单点至少得用双杂化，要么干脆别改泛函，直接用更好的基组。

记得算自由能热校正量至少要考虑ZPE校正因子。