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[VASP] U参数如何确定?

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请教各位大神,我想对CoMnO3采用vasp软件进行计算,但是U参数不知道如何确定,以前也没有人做过这方面的研究。麻烦咨询下大神们是如何确定U参数的呢?或者有没有简单的程序可以计算U参数。再次谢谢各位!

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发表于 Post on 2017-7-7 16:19:31 | 只看该作者 Only view this author
一般有4种方式确定U:
1、凑实验带隙。

2、凑杂化泛函(如HSE)或者GW计算带隙。
前两个没啥好说的。

3、线性响应方法。
这里是有参考的http://muchong.com/html/201211/5237955.html,但部分内容阐述有些问题,在下面我做些讨论。如果体系只有一个Hubbard site,而且盒子也比较大的情况,大体流程应该是这样的:
(1)、计算一次SCF,然后保存该任务的电荷密度。
(2)、你需要指定响应势α,对于vasp设置LDAUTYPE=3的情形,原来的LDAUU就变成了α。
(3)、做分别施加响应势α(比如-0.8 0.6...-0.2 0.2 ...0.8)的计算,每次计算需要读取无响应情形(α=0)下的电荷密度。
(4)、收集施加响应势后的on site占据数,对于每个α势响应的计算结果都有两个部分,一个是基于α势响应但电荷密度未自洽的on site占据数n0,另一个是基于α势响应但电荷密度自洽后的on site占据数n。
(5)、线性拟合α值和n0以及n的关系,你就可以得到U=X0^-1-X^-1=dα/dn0-dα/dn。
进一步做以下讨论:
(1)如果体系有N个Hubbard site的话,就得依次计算第J个位点施加响应以及第I位点的占据数,此时响应系数dα/dn和dα/dn0都是NxN的矩阵,最后取对角化的U.
(2)对于周期性计算,因为α势施加后也是周期性的,与计算声子谱类似,需要构建超胞来消除镜像上的影响,可以使用超胞外推的方式来使结果收敛,如PRB 71, 035105 (2005)所讨论。当然构建超胞后的Hubbard site的数目也会成倍增加,为了缩减计算量还需要找出等价的响应系数避免重复计算。
(3)DFT直接响应出来的结果也未必正确,实际上随着U增加,响应得到的Uout应与实际输入的Uin呈现一定自洽的关系,PRL 97, 103001 (2006)表明经验上U较大的时候两者构成线性的关系。和木虫帖子里说的不同,该方法并不是原始构建超胞线性响应的平行版本,使用这种方法还是得构建超胞才能用于周期性体系。PRL 106, 118501 (2011)的SI中提供了一种别的方案,值得参考一下。这两种自洽方法必须要求程序同时在+U的情况下进行α势响应才能做,因此vasp也实现不了。

4、constrainted RPA
响应系数和U之间的关系可以写成Dyson方程的形式,所以可以采用constrainted RPA的方法进行求解,不过我没有专门研究过这个,你可以PRB 74, 125106(2006),目前我不知道有哪些程序支持。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2017-7-8 21:17:59 | 只看该作者 Only view this author
非常谢谢大神的回复,我尝试一下!谢谢dog大牛!

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发表于 Post on 2017-7-12 11:18:55 | 只看该作者 Only view this author
线性响应计算量太大,对于金属体系来说,加U对电子结构结果影响大吗?

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发表于 Post on 2017-7-12 13:48:50 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 卡开发发 于 2017-7-12 13:51 编辑
biao.biao 发表于 2017-7-12 11:18
线性响应计算量太大,对于金属体系来说,加U对电子结构结果影响大吗?

原则上,对于d带的非半满或全满系统,即便是金属,比如Fe,在特定的物性计算也有改善。我个人认为也依赖交换-关联泛函本身的性质,如RPBE本身晶格常数算出来就偏大,如果再+U晶格常数就很糟糕。

对于d带半满或全满系统或者非d带系统,线性响应计算的U可能会出现非常离谱的结果。而且+U对实际计算没什么很好的改善。U值依赖化学环境,而且是系统每个原子坐标的函数,不同的U值能量如何做差目前没有定论,我个人不是很倾向于用这样的方法。

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发表于 Post on 2017-7-12 14:21:22 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2017-7-12 13:48
原则上,对于d带的非半满或全满系统,即便是金属,比如Fe,在特定的物性计算也有改善。我个人认为也依赖 ...

谢谢!

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发表于 Post on 2019-11-19 22:07:58 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2017-7-7 16:19
一般有4种方式确定U:
1、凑实验带隙。

请教前辈,vasp中怎样确定占据数n0和n呢?

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发表于 Post on 2019-11-19 22:27:50 | 只看该作者 Only view this author
lhxxx 发表于 2019-11-19 22:07
请教前辈,vasp中怎样确定占据数n0和n呢?

http://grandcentral.apam.columbi ... sponse_u/index.html
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发表于 Post on 2019-11-20 10:59:59 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2019-11-19 22:27
http://grandcentral.apam.columbia.edu:5555/tutorials/dft_procedures/linear_response_u/index.html

谢谢

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发表于 Post on 2020-3-7 05:27:44 | 只看该作者 Only view this author
请教一下楼上的大佬,HSE算出来的band gap也偏小很多,除非根据实验值或者GW的计算结果调整mixing parameter去凑,那么我有个疑问,这样凑到一个mixing 得到的电子结构会不会有偏差,因为DFT算占据态还是准的,只是算非占据态不准,调整了mixing以后   是把导带往上平移么,对费米面以下TM 和O的dos有影响么?比如我想研究一个新材料当中 TM 和 O的 相互作用的情况,我要算DOS 和 COHP,那么我有必要 先测试mixing 把band gap凑到实验值 再来分析 COHP 么?  非常感谢大家的告知!

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发表于 Post on 2020-6-3 22:14:28 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 lyhnh 于 2020-6-3 22:16 编辑
卡开发发 发表于 2017-7-7 16:19
一般有4种方式确定U:
1、凑实验带隙。

关于您提到的PRL 106, 118501 (2011)中的方法有点疑问
文中所说的U值自洽是在给定U下通过扰动势线性响应计算的U与给定U相同,也即Uin=Uout。这似乎与PRL 97, 103001 (2006)中拟合Uin和Uout然后计算Uin=0时的Uout相违。文中为什么说二者等价?

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发表于 Post on 2020-6-3 22:26:29 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2017-7-7 16:19
一般有4种方式确定U:
1、凑实验带隙。

根据研究的体系不同,还可以凑实验测得的晶格常数,或者磁矩,反正合理就成。

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kelly612 发表于 2020-3-7 05:27
请教一下楼上的大佬,HSE算出来的band gap也偏小很多,除非根据实验值或者GW的计算结果调整mixing paramete ...

HSE06绝大部分情况表现还是比较正常的,特定的体系就得通过专门的方法去解决。
杂化泛函并不是固体电子结构研究的最终方案。
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发表于 Post on 2020-6-3 23:12:50 | 只看该作者 Only view this author
lyhnh 发表于 2020-6-3 22:14
关于您提到的PRL 106, 118501 (2011)中的方法有点疑问
文中所说的U值自洽是在给定U下通过扰动势线性响应 ...

没那么简单,印象中好像是利用1/X0~Uin这样的关系来加速迭代,如果每个α≠0点的响应只要bare的计算而不用自洽那肯定是快很多的。因为手头没保存这个资料,所以细节上和原理上没办法给具体答复。
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发表于 Post on 2020-6-3 23:15:16 | 只看该作者 Only view this author
itpfeng 发表于 2020-6-3 22:26
根据研究的体系不同,还可以凑实验测得的晶格常数,或者磁矩,反正合理就成。

凑数只是一种做法。实际上线性响应+U和ω-调控这两种方法本质是接近的,线性响应+U只是约束体系满足广义Koopmans定理,并没有经验性引入任何其他的参数,精神上也是ab initio的。
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