求助计算SOC能带的过程和结构的关系问题

ggx

在使用VASP计算SOC能带时，一个是使用1x1的晶胞（第二张图）出现了Rashba劈裂现象，而使用2x2的晶胞（第一张图）计算只有右半部分发生劈裂。想请教各位老师SOC的计算过程和采取的结构关系是怎样的呢？

万里云

有个问题，Rashba效应是由电场z方向的梯度导致的。材料如果不放在衬底上，上下表面对称，还有Rashba效应吗？
VASP里面貌似考虑的是中心势场形式的SOC（L*S）。这种虽然也能导致能级劈裂和面内自旋分量，但本质上不是同一个东西。考虑Rashba效应要用紧束缚模型。