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大家好,最近在重复GaN掺Fe缺陷的激发发射能计算,参考文献是DOI:10.1103/PhysRevB.99.205202。在重复的过程中遇到了一些困难,想请教一下大家。
以Fe3+取代Ga3+为例,Fe3+基态为S=5/2,需要自旋极化。我在使用PBEsol做结构优化时,分别尝试了两种优化思路:
1.先做ISPIN=1的结构优化,然后cp CONTCAR CHGCAR WAVECAR 做ISPIN=2的结构优化;
2.直接做ISPIN=2的结构优化,设置MAGMOM和NUPDOWN来控制自旋排布;
两种方法得到的能量几乎一致,OUTCAR中的magnetization (x)和total charge也一致,且Fe3+的magnetization占了总的magnetization不到80%。
由于PBEsol算的bandgap偏低,于是采用了杂化泛函PBE0,INCAR设置如下:
SYSTEM = GaN
ISTART = 1
ICHARG = 1
ENCUT = 500
EDIEF = 1E-05
NELM = 60
ISPIN = 2
MAGMOM = 35*0 36*0 1*5
NUPDOWN = 5
NSW = 0
IBRION = -1
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.05
LORBIT = 11
GGA = PE
LHFCALC = .TRUE
ALGO = D ; TIME = 0.4
AEXX = 0.25
PRECFOCK = Fast
最后得到的结果如图,Fe的magnetization 是4,并不是我预设的5,只占了总的80%左右;而且total charge中有部分s电子和p电子,d电子也多于5,接近6。
请问:
1.我采用的两种结构优化流程是否合适,是否需要通过反复cp CONTCAR等来使OUTCAR中的magnetization几乎全部为Fe的贡献(能否做到?);
2.magnetization中Fe的贡献只占了80%是否由于d电子不是很局域造成的?
3.根据上面的INCAR得到的vasprun.xml所绘制的DOS尖峰很多,比较局域,而文献中比较平滑,整个带是连在一起的,这是不是因为ISMEAR=0造成的?ISMEAR=-5是否适用于杂化泛函?
4.total charge是不是WS半径的设置所造成的积分问题?这个我看论坛里有讨论到。我这个结果是不是不合理的?
谢谢各位老师!
@卡开发发
magnetization total charge
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