计算CeO2不同的晶面时能带密度几乎一样

fengling · 发表于 Post on 2023-10-20 16:12:03

本帖最后由 fengling 于 2023-10-20 16:17 编辑

如题，当我计算111面与110面时，得到的能态密度几乎是一模一样的，而且没有f轨道的峰，和文献不同，有没有老师或同学可以解惑的？以下是我的能态图、111cif以及110cif文件以及对应的castep文件

fengling · 发表于 Post on 2024-3-5 16:08:13

ttj 发表于 2024-3-3 16:50
老哥，请问怎么计算不同晶面的能带结构啊，是选择不同的k点路径吗

这个我了解的不是很多，应该是不同的面不同的k点路径的

ttj · 发表于 Post on 2024-3-3 16:50:44

老哥，请问怎么计算不同晶面的能带结构啊，是选择不同的k点路径吗

fengling · 发表于 Post on 2023-10-23 09:42:07

卡开发发发表于 2023-10-23 09:21
再大点，可能得测试下。

好的，谢谢老师，我测试一下

卡开发发 · 发表于 Post on 2023-10-23 09:21:43

fengling 发表于 2023-10-23 08:44
感谢老师回复，想问一下一般空带设置需要多少？我现在的设置是30%

再大点，可能得测试下。

fengling · 发表于 Post on 2023-10-23 08:44:08

卡开发发发表于 2023-10-21 16:17
因为你的（DOS计算时性质当中的）空带没设置足够，所以Ef（也就是图中E=0eV）以上的能级都画不出来。

感谢老师回复，想问一下一般空带设置需要多少？我现在的设置是30%

卡开发发 · 发表于 Post on 2023-10-21 16:17:47

fengling 发表于 2023-10-21 09:32
感谢老师的回复，只不过我和文献中计算的DOS差别在于2eV处并没有显著的峰，所以不知道为什么会有这种情况

因为你的（DOS计算时性质当中的）空带没设置足够，所以Ef（也就是图中E=0eV）以上的能级都画不出来。

fengling · 发表于 Post on 2023-10-21 09:32:42

感谢老师的回复，只不过我和文献中计算的DOS差别在于2eV处并没有显著的峰，所以不知道为什么会有这种情况

sobereva · 发表于 Post on 2023-10-21 06:03:46

这算不上几乎一样，差异明显肉眼可见。而且本身大部分原子又不在表面上，它们对DOS贡献的权重比表面原子更大，表面排列的差异反映在这种DOS差异程度上非常正常

我不用M$，当前看似你只是算了TDOS。f贡献什么样得要求算相应的PDOS

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