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[VASP] VASP-CINEB计算过渡态出现极大原子受力太大

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各位老师好,最近在用CI-NEB算H2O在ZnO表面解离成H和OH的过渡态,遇到了一些问题,希望得到大家的帮助!
我打算先用CI-NEB跑一个粗收敛,然后用Dimer精收敛,但是在跑CI-NEB的时候一直没有收敛的趋势,用的是idpp.py非线性插点,dist.pl返回值为4.01971793752659,插点个数为4,下面是我的INCAR,以及IS和FS结构我的材料为五层,上面两层放开,下面三层固定。
nebef.pl结果:

INCAR:


IS-top:

IS-side:

FS-top:

FS-side:


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发表于 Post on 2024-7-5 15:55:43 | 只看该作者 Only view this author

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发表于 Post on 2024-7-5 15:55:32 | 只看该作者 Only view this author
乐平 发表于 2024-7-4 12:26
这个脚本在 VTST 官网上就能下载到

https://theory.cm.utexas.edu/vtsttools/download.html

好的,谢谢

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发表于 Post on 2024-7-4 12:26:59 | 只看该作者 Only view this author
单单 发表于 2024-7-1 14:19
请问dist.pl脚本可以发给我一个吗?谢谢

这个脚本在 VTST 官网上就能下载到

https://theory.cm.utexas.edu/vtsttools/download.html

vtstscripts.tgz   解压之后里面全是各种有用的脚本

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发表于 Post on 2024-7-4 11:34:40 | 只看该作者 Only view this author
单单 发表于 2024-7-1 14:19
请问dist.pl脚本可以发给我一个吗?谢谢
  1. #!/usr/bin/env perl
  2. #;-*- Perl -*-

  3. use FindBin qw($Bin);
  4. use lib "$Bin";
  5. use Vasp;

  6. # This program prints the difference in each coordinate for two POSCAR files.

  7. # variables needed by the script

  8. @args=@ARGV;
  9. @args==2 || die "usage: dist.pl <POSCAR 1 filename> <POSCAR 2 filename> ";

  10. $poscarfile1 = $args[0];
  11. $poscarfile2 = $args[1];

  12. ($coordinates1,$basis,$lattice,$num_atoms,$total_atoms,$selectiveflag,$selective)
  13.   = read_poscar($poscarfile1);

  14. ($coordinates2,$basis,$lattice,$num_atoms,$total_atoms,$selectiveflag,$selective)
  15.   = read_poscar($poscarfile2);

  16. $difference = pbc_difference($coordinates1,$coordinates2,$total_atoms);
  17. $cartesian = dirkar($difference,$basis,$lattice,$total_atoms);
  18. $distance = magnitude($cartesian,$total_atoms);

  19. print $distance,"\n";
复制代码

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发表于 Post on 2024-7-1 14:19:30 | 只看该作者 Only view this author
请问dist.pl脚本可以发给我一个吗?谢谢

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-12-20 10:55:19 | 只看该作者 Only view this author
wypkdhd 发表于 2023-12-20 10:39
其实你还有两个参数有问题,既然是氧化物了。
If you have no a priori knowledge of your system, for in ...

非常感谢您的解答,参数这一部分我再仔细看看

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发表于 Post on 2023-12-20 10:39:05 | 只看该作者 Only view this author
其实你还有两个参数有问题,既然是氧化物了。
If you have no a priori knowledge of your system, for instance, if you do not know whether your system is an insulator, semiconductor or metal then always use Gaussian smearing ISMEAR=0 in combination with a small SIGMA=0.03-0.05.
插点数为距离/0.8四舍五入。
iopt对应算法,具体去vtst官网自己看,iopt=7没iopt=3安全。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-12-20 09:59:57 | 只看该作者 Only view this author

是把这两个参数改成这样嘛?我尝试一下,非常感谢!顺便方便请教一下这样修改的理由嘛?

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发表于 Post on 2023-12-20 08:33:48 | 只看该作者 Only view this author
iopt=3 插点数为5

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