求助 缺陷能级在能带间隙中的问题

xmuqyj

我目前在做氮缺陷C3N4，用的是HSE杂化泛函做能带，能带图由vaspkit252输出。

我有两个问题，一能带图的能带间隙要忽略缺陷能级吗，我看了两篇文献，处理方法不一样；二如果能带图中导带或者价带越过了0点（费米能级），这时候能带间隙是以vaspkit为准（约为0.0几），还是直接测量禁带宽度呢？
我的能带vaspkit输出：

+-------------------------- Summary ----------------------------+
            Spin Channel:     <UP>       <DOWN>      <TOTAL>
           Band Gap (eV):    0.0364      0.0364      0.0364
  Eigenvalue of VBM (eV):   -2.3899     -2.3899     -2.3899
  Eigenvalue of CBM (eV):   -2.3535     -2.3535     -2.3535
       Fermi Energy (eV):   -2.3807     -2.3807     -2.3807
   Highest-Occupied Band:       131       131         131
  Lowest-Unoccupied Band:       131       131         131
    Location of VBM (UP):    0.2778      0.2778      0.0000
    Location of CBM (UP):    0.3333      0.3333      0.0000
    Location of VBM (DW):    0.2778      0.2778      0.0000
    Location of CBM (DW):    0.3333      0.3333      0.0000
    Location of VBM (TO):    0.2778      0.2778      0.0000
    Location of CBM (TO):    0.3333      0.3333      0.0000
** Notice: A tiny gap implies your system might be metallic. **
+---------------------------------------------------------------+

小包

请问您解决了吗，我也遇到了同样的问题，没有找到您发的K@C3N4这篇文章能发我一下吗，十分感谢

卡开发发

xmuqyj 发表于 2023-12-21 21:51
@卡开发发 请老师不吝赐教！！

谈不上赐教，这个问题了解有限，仅讨论一下。
1、这部分内容你可以好好看一下半导体物理的书，计算程序给出来的gap一般是根据电子占据情况来的，和半导体物理上的定义不完全一样，不过对于电离能或电子亲和能的讨论应该不会有什么影响。
2、不同文献的Ef在处理的时候有可能会不太一样，有些是Ef移动到0，有些是Ev移动到0，或者算出来啥样就那么放上去的，得看看图注怎么说。最后那副图比较奇怪，gap上方的能级至少看上去是比0小的，并不太清楚作者实际怎样处理。

xmuqyj

@卡开发发 请老师不吝赐教！！