castep计算半导体能带结构全是直线，而且没有带隙应该怎么办？

谨谨谨

（1）我要计算一个晶体的带隙，实验测出来的是2.7ev，我有老师给的cif文件，但是计算能带结构全是直线，而且没有带隙应该怎么调整参数呢？
（2）之前学习的时候看到有说castep计算的时候要用primitive cell进行计算，可是自己解出来的晶体结构cif文件导进来无法切换为primitive cell，这个对计算是否有影响
（3）cif文件是老师解出来的晶体结构直接发我的，是否还需要进行结构优化呢？而我进行了结构优化之后，晶体结构并没有发生改变。
求解答，才开始学习计算，只会一些基本的操作，求指导，谢谢！

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不知道现在是否解决了呢 是不是因为pbe的原因呢

卡开发发

乐平 发表于 2024-1-19 17:56
先说图
你截图的能带结构图之所以“看起来是平直的线”，主要是由于你显示了太多能量很低的能带。

那个10eV的由来应该MS是激活文件时（也就是工作区显示在最前面的窗口）当中没有元素信息（比如xsd没原子，或者是xcd这种图表的情况）默认值，没有参考意义。

脉冲星射线暴

放大费米面附近的图线就可以看到细节了吧，全显示肯定是看不清楚的

乐平

先说图
你截图的能带结构图之所以“看起来是平直的线”，主要是由于你显示了太多能量很低的能带。

通常我们只关注费米能级附近的能带结构，也就是能量在 0 附近的，大约[-5 eV 到 5 eV 左右的能量范围。

从你的截图来看，甚至只用看 -2 eV 到 1 eV 范围就够了。

建议把数据导出来，用 Origin 重新绘图，方法可以看我的知乎
https://www.zhihu.com/question/383284580/answer/1113792979


再说计算
结构优化用 PBE 泛函可以，但是如果希望把带隙也算得比较准的话，建议用 SHE06 杂化泛函。当然，前提是你的电脑能跑得起来。另外，很好奇你算的是什么体系，截断能居然只用 10 eV ？