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[VASP] U参数如何确定?

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请教各位大神,我想对CoMnO3采用vasp软件进行计算,但是U参数不知道如何确定,以前也没有人做过这方面的研究。麻烦咨询下大神们是如何确定U参数的呢?或者有没有简单的程序可以计算U参数。再次谢谢各位!

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发表于 Post on 2022-8-7 20:03:56 | 只看该作者 Only view this author
卡老师,您好,问一下关于U值的设置是单个原子加U还是,整个体系中的稀土金属都加U了

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发表于 Post on 2021-1-23 18:50:03 | 只看该作者 Only view this author
zhukangg 发表于 2021-1-23 18:31
那请问这个占据数要在OUTCAR和DOSCAR中grep哪个关键词呢,我没有找到。谢谢老师

增加LDAUPRINT=1或2看看,默认那个占据矩阵好像是不打印出来的(也许LDAUTYPE=3的时候不见得能打印,这点我不太确定)。按道理其实用LORBIT=11得到的电荷也行,前面几页给的链接是采用这种方法算的。如果线性程度不太好,那么可以减小alpha的取值范围试试。

另外,QE其实也使用了更好的方法,直接使用DFPT方法进行扰动,也就不必采用超胞方法了。具体可以参考hp.x的使用,不过我还没有测试过,有时间测试可以交流下。

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发表于 Post on 2021-1-23 18:31:52 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2021-1-23 07:14
适合。指的是能带在U的局域投影态上的占据数,通常进行DFT+U计算应该会print出来。PDOS中的可能会受到WS ...

那请问这个占据数要在OUTCAR和DOSCAR中grep哪个关键词呢,我没有找到。谢谢老师

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发表于 Post on 2021-1-23 07:14:27 | 只看该作者 Only view this author
zhukangg 发表于 2021-1-22 16:50
这个U参数的测定适用于f电子吗?我测量Pr元素的时候,发现占据数随α的变化并不是线性的。(可能是我对占据 ...

适合。指的是能带在U的局域投影态上的占据数,通常进行DFT+U计算应该会print出来。PDOS中的可能会受到WS半径、展宽等各方面影响。
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发表于 Post on 2021-1-22 16:50:11 | 只看该作者 Only view this author
这个U参数的测定适用于f电子吗?我测量Pr元素的时候,发现占据数随α的变化并不是线性的。(可能是我对占据数的定义不同,我是将f电子的态密度积分到费米能级得到的占据数),请老师指教

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发表于 Post on 2020-6-4 00:14:48 | 只看该作者 Only view this author

我没记错的话,方式也变了,老方法是外推,新方法似乎是用某种迭代关系。
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发表于 Post on 2020-6-4 00:07:33 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2020-6-3 23:12
没那么简单,印象中好像是利用1/X0~Uin这样的关系来加速迭代,如果每个α≠0点的响应只要bare的计算而不 ...

谢谢

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发表于 Post on 2020-6-3 23:15:16 | 只看该作者 Only view this author
itpfeng 发表于 2020-6-3 22:26
根据研究的体系不同,还可以凑实验测得的晶格常数,或者磁矩,反正合理就成。

凑数只是一种做法。实际上线性响应+U和ω-调控这两种方法本质是接近的,线性响应+U只是约束体系满足广义Koopmans定理,并没有经验性引入任何其他的参数,精神上也是ab initio的。
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发表于 Post on 2020-6-3 23:12:50 | 只看该作者 Only view this author
lyhnh 发表于 2020-6-3 22:14
关于您提到的PRL 106, 118501 (2011)中的方法有点疑问
文中所说的U值自洽是在给定U下通过扰动势线性响应 ...

没那么简单,印象中好像是利用1/X0~Uin这样的关系来加速迭代,如果每个α≠0点的响应只要bare的计算而不用自洽那肯定是快很多的。因为手头没保存这个资料,所以细节上和原理上没办法给具体答复。
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发表于 Post on 2020-6-3 23:09:27 | 只看该作者 Only view this author
kelly612 发表于 2020-3-7 05:27
请教一下楼上的大佬,HSE算出来的band gap也偏小很多,除非根据实验值或者GW的计算结果调整mixing paramete ...

HSE06绝大部分情况表现还是比较正常的,特定的体系就得通过专门的方法去解决。
杂化泛函并不是固体电子结构研究的最终方案。
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发表于 Post on 2020-6-3 22:26:29 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2017-7-7 16:19
一般有4种方式确定U:
1、凑实验带隙。

根据研究的体系不同,还可以凑实验测得的晶格常数,或者磁矩,反正合理就成。

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发表于 Post on 2020-6-3 22:14:28 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 lyhnh 于 2020-6-3 22:16 编辑
卡开发发 发表于 2017-7-7 16:19
一般有4种方式确定U:
1、凑实验带隙。

关于您提到的PRL 106, 118501 (2011)中的方法有点疑问
文中所说的U值自洽是在给定U下通过扰动势线性响应计算的U与给定U相同,也即Uin=Uout。这似乎与PRL 97, 103001 (2006)中拟合Uin和Uout然后计算Uin=0时的Uout相违。文中为什么说二者等价?

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发表于 Post on 2020-3-7 05:27:44 | 只看该作者 Only view this author
请教一下楼上的大佬,HSE算出来的band gap也偏小很多,除非根据实验值或者GW的计算结果调整mixing parameter去凑,那么我有个疑问,这样凑到一个mixing 得到的电子结构会不会有偏差,因为DFT算占据态还是准的,只是算非占据态不准,调整了mixing以后   是把导带往上平移么,对费米面以下TM 和O的dos有影响么?比如我想研究一个新材料当中 TM 和 O的 相互作用的情况,我要算DOS 和 COHP,那么我有必要 先测试mixing 把band gap凑到实验值 再来分析 COHP 么?  非常感谢大家的告知!

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发表于 Post on 2019-11-20 10:59:59 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2019-11-19 22:27
http://grandcentral.apam.columbia.edu:5555/tutorials/dft_procedures/linear_response_u/index.html

谢谢

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发表于 Post on 2019-11-19 22:27:50 | 只看该作者 Only view this author
lhxxx 发表于 2019-11-19 22:07
请教前辈,vasp中怎样确定占据数n0和n呢?

http://grandcentral.apam.columbi ... sponse_u/index.html
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