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[VASP] 请教使用GW-BSE计算半导体的吸收系数相关问题

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本帖最后由 JingTing 于 2022-7-17 14:54 编辑

各位老师好,我在跟随教程使用GW+BSE计算半导体GaAs的光学性质时,计算结果如下,在1.55eV出现抖动,而我正好关注此点的值,由于计算使用的K点是8*8*8.加大K点到10*10*10时超算无法计算BSE,内存溢出,想要将此点算的更加准确应该采用什么办法呢?(甚至我觉得8*8*8的K点已经够了,是不是其它的地方我没有设置好呢,NBANDS后面我已经设置到了尽量大的512)望指教!

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发表于 Post on 2022-7-18 10:01:58 | 只看该作者 Only view this author
你觉得当前结果不够准的理由是什么呢?

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2022-7-18 16:00:58 | 只看该作者 Only view this author
老师这是我自己算的和实验值的比对,可以看出还是不够准确

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发表于 Post on 2022-7-18 16:25:48 | 只看该作者 Only view this author
可以考虑用别的程序算算看,比如GPAW,QE+yambo.

理论计算和实验不符有很多原因,未必就是k点不够导致的。当然我不太了解这种体系,不好下定论。

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发表于 Post on 2024-5-8 09:12:01 | 只看该作者 Only view this author
请问这个输出步数要到什么时候才结束啊,怎么看自己的任务最终输出多少步,我现在25步了还没结束,内存太大了

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