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本帖最后由 dali 于 2025-1-7 10:24 编辑
看到一个帖子http://bbs.keinsci.com/thread-51038-1-1.html在问VASP做过渡态的频率验证是否可以固定slab原子的坐标,我想问的问题是,假如是过渡金属掺杂的二维单层材料去催化某反应的过渡态计算,用CINEB、DIMER、IDM等方法找到一个可能的过渡态,之后要做频率验证是否只有一个虚频,但如果整个体系都做频率计算耗时过高。有几个问题向大家请教:
(1)假如找过渡态时我用的k点是3x3x1,频率验证时可以用1X1X1的k点,这样可以用gamma版本的vasp会快很多,但这样做会导致频率计算和过渡态优化计算标准不一致,请问大家这样做合理吗?
(2)如果采用与过渡态优化计算同样的标准3x3x1的k点做做频率验证,这时用固定slab原子坐标的方式,但这也有一定的问题,过渡态优化时可能没有固定坐标,频率计算又固定了坐标,这样做合理吗?
(3)由问题(2)想到一个问题。用CINEB、DIMER、IDM找过渡态时就直接固定了slab原子的坐标,找到的过渡态可以作为最终结果吗?还用不用以此为基础坐标都放开再继续找过渡态?
(4)如果(1)和(2)都有合理性,那么(1)和(2)相比哪个做法更好?
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