求助，使用cp2k做CI-NEB计算卤代烯烃在MOFs孔道中的扩散能垒时总是出现奇怪的凸点

ASC_Xiaotian

各位老师我现在在做一种小分子3-氯丙烯在MOFs材料SIFSIX-14-Cu-i孔道中扩散能垒的计算，目前计算总是出现奇怪的凸点，还恳请各位老师指导到底是哪里出现了问题。
大致参数设置：晶胞尺寸（13.1285 x 13.11944 x 16.09278），分子式：C83 H69 N32 F24 Si4 Cl Cu4， GAMMA only，OT，PBE-D3(BJ)，DZVP-MOLOPT-SR-GTH，UKS， 对Cu的d进行DFT+U，U(eff)=2.5 eV，磁化初猜为1.0，MULTIPLICITY为5，由于存在F所以CUTOFF和 REL_CUTOFF分别600和65，开始和结束结构在计算前均经过优化，插点总16（由sobNEB生成）每点8线程，ALIGN_FRAMES 和ROTATE_FRAMES均为F，其他的基本为默认设置。
计算环境：曙光超算平台 单节点X86 64C 2.5GHz 256GB，计算采用两节点128核进行计算。
首先第一次采用上述设置进行了近300步的计算，得到的能垒图如图1所示，在能垒图的11点位置存在一个奇怪的凸点。考虑可能是因为计算存在bug，所以从第一次计算得到的restart文件中删除了该点，用CP2k自动对该点补全，其他设置与第一次一致，进行了约70步计算结果如图2.1所示，11点已经不存在该凸点，但是在6点位置又出现了另一个凸点，且两次计算除了两个凸点外其他的点趋势基本一致（图2.2）。经过这两次计算大致可以判断出能垒曲线存在两个过渡态，同时为了避免凸点的影响，所以又分别选择了第一次计算的1-9点和第二次计算的9-16点无凸点的结构进行了CINEB计算，有意思的是，结果又出现了凸点。此外，相似的凸点现象也出现在了另一种相似分子（1-氯丙烷）在SIFSIX-14-Cu-i的计算中。我也根据AI的建议增大SCF以及IT-NEB步数进行了尝试，结果还是存在凸点。到底是什么原因导致的该问题，我也将三次的计算输入文件放在附件里了，还请各位老师提提建议，谢谢大家了。

图1 第一次CI-NEB计算

图2 第二次CI-NEB计算

图3 第三次分步CI-NEB计算

sobereva

我没时间具体看相关文件。如果NEB跑很多步后还能看出中间有极小点，说明不是基元反应，就分段继续跑，反复如此，直到路径上只有一个极大点、对应基元反应。如果极大点位置看起来太尖，就增大CI-NEB点数再跑试图把路径描绘得更精细。整个过程始终结合几何结构判断情况，不能光靠能量曲线猜。

ASC_Xiaotian

sobereva 发表于 2026-4-26 15:04
我没时间具体看相关文件。如果NEB跑很多步后还能看出中间有极小点，说明不是基元反应，就分段继续跑，反复 ...

好的，我试试谢谢社长。