NTO计算求教，以及电子激发问题

Ethan_WY · 发表于 Post on 2018-10-21 20:07:27

本帖最后由 Ethan_WY 于 2018-10-21 20:13 编辑

老师好，
   经过您之前的解答，以及我的查阅，有以下疑问求助您。

1. 要得到S0→S1的Hole-Electron图，就先优化S0，在此基础上再做电子激发，结果用multiwfn分析NTO。
问题是：①：自己手动用gaussview建的模型，特别不合理，用opt b3lyp/6-31g(d,p) scrf=(solvent=dichloromethane)优化后得到的就是S0吗？优化得到的结构就是势能面的global minimum，而不是local minimum？
               ②：在上述优化的S0基础上，用CAM-B3LYP/6-31g(d) pop(saveNTO,NTO) TD(root=1) IOp(9/40=4) scrf=(solvent=dichloromethane) 计算出来的fchk就可以用来分析下面附图中S0→S1的NTO？

2.同理的话，S1→S0，应该就是优化S1，这样的话，我计算荧光已经优化过S1,直接用这个结构，进行CAM-B3LYP/6-31g(d) pop(saveNTO,NTO) TD(root=？) IOp(9/40=4) scrf=(solvent=dichloromethane) 就可以了吧？
   问题是：其中的root如何设置？

3. 第三种T1→S0，就应该是用优化过的T1进行：CAM-B3LYP/6-31g(d) pop(saveNTO,NTO) TD(root=？) IOp(9/40=4) scrf=(solvent=dichloromethane) 同样有个root问题？

新手，问题较多，希望老师们和同行们贡献一点力量，帮我解答一下，多谢啦！！！

sobereva · 发表于 Post on 2018-10-22 06:24:17

1.1 是
当前体系可旋转的键很少，结构简单，直接优化的结果就能对应全局最小点

1.2 根本不需要saveNTO,NTO。仔细看
使用Multiwfn做自然跃迁轨道(NTO)分析
http://sobereva.com/377
写root=1也是多余的，Multiwfn里直接就能选择对第几激发态做NTO分析

2 CAM-B3LYP/6-31g(d) TD IOp(9/40=4) scrf=(solvent=dichloromethane)就完了

3 CAM-B3LYP/6-31g(d) TD=triplet IOp(9/40=4) scrf=(solvent=dichloromethane)就完了

Ethan_WY · 发表于 Post on 2018-10-22 09:14:37

sobereva 发表于 2018-10-22 06:24
1.1 是
当前体系可旋转的键很少，结构简单，直接优化的结果就能对应全局最小点

太感谢老师了，入坛半年，受益匪浅

哆啦哆啦 · 发表于 Post on 2018-11-5 18:56:21

楼主，请问这篇文献的doi或者文章名是什么，谢谢！

sobereva · 发表于 Post on 2018-11-6 03:45:23

哆啦哆啦发表于 2018-11-5 18:56
楼主，请问这篇文献的doi或者文章名是什么，谢谢！

你把文中一些段落放到google学术里一搜就能搜到

Ethan_WY · 发表于 Post on 2018-11-8 11:25:15

哆啦哆啦发表于 2018-11-5 18:56
楼主，请问这篇文献的doi或者文章名是什么，谢谢！

Sorry，这两天换了新电脑，没有登陆论坛
文章是J. Mater. Chem. C, 2015, 3, 6970--6978
Simultaneous harvesting of triplet excitons in OLEDs by both guest and host materials with an intramolecular charge-transfer feature via triplet–triplet annihilation

哆啦哆啦 · 发表于 Post on 2018-11-9 12:09:31

谢谢啦

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