VASP加电场优化不收敛

菩城 · 发表于 Post on 2018-11-28 20:26:39

VASP在二维材料表面加电场，加0.1V/A和0.2V/A，都是不收敛，提示ZBRENT: fatal error in bracketing please rerun with smaller EDIFF, or copy CONTCAR to POSCAR and continue
作业直接跳出来，看到有人说要从小往大加，不过加0.01V/A还是这样，不知道大家是否有好的办法，感谢！

profya · 发表于 Post on 2018-11-29 16:32:10

這個問題應該是你用CG方法(IBRION = 2)所造成的
一般解決辦法的確如VASP所提示的, 增加EDIFF精度或者複製CONTCAR成POSCAR再跑一次
個人比較推薦使用增加EDIFF精度的方法
基本上應該跟電場大小值沒有關係才對

菩城 · 发表于 Post on 2018-12-3 13:46:31

profya 发表于 2018-11-29 16:32
這個問題應該是你用CG方法(IBRION = 2)所造成的
一般解決辦法的確如VASP所提示的, 增加EDIFF精度或者複製C ...

我确实用的是CG方法，现在换成quasi-New法再试一试，非常感谢！

菩城 · 发表于 Post on 2018-12-5 09:00:04

profya 发表于 2018-11-29 16:32
這個問題應該是你用CG方法(IBRION = 2)所造成的
一般解決辦法的確如VASP所提示的, 增加EDIFF精度或者複製C ...

将算法改为quasi-New法了，不过计算得非常之慢，并且电子步跑到60步仍不收敛，请问有什么解决办法吗

卡开发发 · 发表于 Post on 2018-12-5 09:43:31

菩城发表于 2018-12-5 09:00
将算法改为quasi-New法了，不过计算得非常之慢，并且电子步跑到60步仍不收敛，请问有什么解决办法吗

我不知道你的CG是否也是头几步的SCF收敛不了，如果是这样的话，后面的能量和力都不正确也就没办法谈构型优化的收敛问题。我觉得优先考虑调整结构并能够保证SCF收敛。

菩城 · 发表于 Post on 2018-12-5 10:30:09

卡开发发发表于 2018-12-5 09:43
我不知道你的CG是否也是头几步的SCF收敛不了，如果是这样的话，后面的能量和力都不正确也就没办法谈构型 ...

CG也是同样的问题，构型的话是一个简单的二维材料吸附小分子，先进行了构型优化，在此基础上加的电场

菩城 · 发表于 Post on 2018-12-5 10:40:21

卡开发发发表于 2018-12-5 09:43
我不知道你的CG是否也是头几步的SCF收敛不了，如果是这样的话，后面的能量和力都不正确也就没办法谈构型 ...

这是我的INCAR文件，电场强度是0.1 V/Å，也用二维材料测试了一下，没有吸附小分子，发现能量还是难以收敛，请前辈帮忙看下是不是哪里出了问题，感谢！

卡开发发 · 发表于 Post on 2018-12-5 11:41:36

菩城发表于 2018-12-5 10:40
这是我的INCAR文件，电场强度是0.1 V/Å，也用二维材料测试了一下，没有吸附小分子，发现能量还是难 ...

加电场SCF是可能难收敛一点，你要不然试试看读取不加电场时候的密度来优化构型，看看SCF是否容易收敛一些，如果没问题的话之后再做自洽计算。

菩城 · 发表于 Post on 2018-12-6 16:57:45

卡开发发发表于 2018-12-5 11:41
加电场SCF是可能难收敛一点，你要不然试试看读取不加电场时候的密度来优化构型，看看SCF是否容易收敛一些 ...

用相同的计算条件测试了一下，读取波函数优化确实会快一些，不过电子步还是经常需要跑到默认的60步仍然不收敛，不过这个建议已经很好啦，感谢老师！

卡开发发 · 发表于 Post on 2018-12-8 07:53:54

菩城发表于 2018-12-6 16:57
用相同的计算条件测试了一下，读取波函数优化确实会快一些，不过电子步还是经常需要跑到默认的60步仍然不 ...

先用小的电场并且先不考虑偶极修正跑一下先看看能否先把SCF收敛，否则能量和力都得不到可靠结果构型优化没什么意义。

profya · 发表于 Post on 2018-12-24 16:30:25

抱歉過了好一陣子才來回應
樓主的SCF loop看似沒收斂
不知道是否有將分子放置在真空層中間
因為VASP加電場採用的方法是在真空層中間放置一個虛擬電勢板
因此在真空層中央如果有分子會導致電子結構收斂非常困難
此外樓主設定的NELM只有60步, 可能不太夠
也許也可以透過增加NELM來幫助收斂

菩城 · 发表于 Post on 2018-12-25 09:38:48

profya 发表于 2018-12-24 16:30
抱歉過了好一陣子才來回應
樓主的SCF loop看似沒收斂
不知道是否有將分子放置在真空層中間

感谢回复，收敛的问题暂时已解决，需要指定DIPOL的值，指定之后会大大加速收敛。不过现在遇到了另外的问题，发现VASP加电场计算的结果与Gaussian的结果不一致，比如我将CO2竖直放置，同样在z方向加电场，Gaussian的结果是两个C=O键长一个增大一个减小，而VASP的结果却是两个C=O键长同时减小，从常理分析，Gaussian的计算结果应该是合理的，我现在都有些怀疑VASP结果的准确性了……楼主如果有用过VASP加电场的话，希望能给我些指导，问题卡了很久，非常纠结万分感谢！

菩城 · 发表于 Post on 2018-12-25 09:43:33

卡开发发发表于 2018-12-8 07:53
先用小的电场并且先不考虑偶极修正跑一下先看看能否先把SCF收敛，否则能量和力都得不到可靠结果构型优化 ...

不好意思，卡开发发老师，现在才回复，按照您的建议，先用小的电场，或者先不考虑偶极修正，SCF的结果同样都是难以收敛，后来找到两个原因，一是要指定Dipol的位置，二是改变算法，变成Normal。

kevin · 发表于 Post on 2022-7-11 13:17:04

菩城发表于 2018-12-25 09:43
不好意思，卡开发发老师，现在才回复，按照您的建议，先用小的电场，或者先不考虑偶极修正，SCF的结果同 ...

楼主您好，我也遇到了类似的问题，请问您所说的制定Dipol的位置是什么意思，该如何设置？您是否方便分享个计算文件？

szj2049 · 发表于 Post on 2022-11-22 15:11:22

kevin 发表于 2022-7-11 13:17
楼主您好，我也遇到了类似的问题，请问您所说的制定Dipol的位置是什么意思，该如何设置？您是否方便分享 ...

就是一个INCAR参数，DIPOL
VASP偶极修正会自动找中心，但是如果自动找不到合适的位置，电子自洽的能量波动就会很大不能收敛。
这个参数可以提前设置一个偶极修正中心的位置，可以很好地改善这个问题。

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