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各位老师好:
最近在使用VASP+boltztrap计算半导体材料的电子传输性质。其中用Boltztrap软件计算得到电导率等,但是弛豫时间的计算目前遇到了一些问题,想请教各位老师。
我想使用的是清华大学帅志刚老师的方法:玻尔兹曼输运理论+DP理论+费米黄金定则。因为一直和文献差别较大,所以想请各位老师帮忙看看我的计算哪里有问题,是不是参数理解的有问题。其中弛豫时间公式所示:
1)EB 用的VBM 和CBM在拉伸过程中的能量变化量除以晶格长度的变化量,分别代表空穴和电子。
2)CB用的是拉伸过程中体系总能量和晶格长度变化量的二次拟合。
其中疑问比较大的是:
1)公式里面的Ek指的是VBM和CBM的能量还是体系的总能量?
2)公式中有效质量的处理用的是vaspkit计算,但是该值和方向有关系,文献上面取了价带顶高对称点上面各个方向。但是如何处理出一个标量呢?
3)这样计算结束的弛豫时间明显是一个矢量,但是文献上面只给出了一个最后的数值,想问一下,是如何计算出最后标量的?
任何帮助都好,非常感谢各位老师!
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