表面体系计算不收敛

卡开发发

didi_dudu 发表于 2015-8-16 20:40
你好，有优化出新的结果么？我按照之前你给的计算结构优化，计算还在进行，然后计算过程中出现的类似这种 ...

没继续算下去，我感觉覆盖度还是太高，分子间交叠太严重，减少两个间隔的分子看看。如果模型不正确我感觉没有继续的必要，考虑一下末端是与Si结合还是有个端位的基团？PWscf的这个我不太了解。还有Si的基体薄了点，有些东西测试还是好好做一下比较保险。
如果端位有基团的话，低覆盖度的情形没准是横过来的，DFTD2可能不好忽略。

CSUZXF

卡开发发 发表于 2015-8-14 15:07
这个应该测试，最好电子熵别超过1meV/atom（注意同时保证kpoint测试收敛），Gaussian展宽可以适当放宽些 ...

您好！我找到了这个-KTS-e=-14.11Ha左右，但是我看别人的都是-0.00几的，您说的这个值越小越好，是绝对值越小越好，还是就是数学上的数值大小比较呢？还有就是您说的电子熵不超过1meV/atom和-KTS-e比较时候，两者用的是绝对值吗？-KTS-e基本上都是负数呀

卡开发发

CSUZXF 发表于 2017-12-30 10:45
您好！我找到了这个-KTS-e=-14.11Ha左右，但是我看别人的都是-0.00几的，您说的这个值越小越好，是绝对值 ...

绝对值越小越好，这样计算出来自由能和能量差别就比较小了。smearing是不能很大的，除了影响能量计算，这种方式是会影响到电子对轨道占据，涉及到的性质都会被影响。

xylz6188

可以先固定下层Si原子，用Forcite先优化一下，然后在放开，再用DMol3来优化。如果这样都还不行，那你就把直链烷烃数目减少一些，我看正构烷烃之间相隔太近了，分子间的排斥力较大。希望有帮助