求助：vasp对Ni110 slab结构优化时，离子步不收敛

buct_hjh

Ni的结构是从MS中导入的，先切110表面，然后扩胞（2✖1），建真空层（15A）得到如下结构：固定下面的四层，放开上面的三层，INCAR如下：

SYSTEM = Ni110
ISTART = 0
ICHARG = 2

ENCUT = 450
EDIFF = 1e-6
IBRION = 2
POTIM = 0.1
EDIFFG = -0.02
NSW = 300

ISMEAR = 1
SIGMA = 0.2
PREC = N
LREAL = F

ISPIN=2

LDIPOL = .TRUE.
IDIPOL = 3

NWRITE = 0
LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.

KPOINT设置如下：
K-POINTS
0
G
1 1 1
0 0 0

优化的结果是电子步不收敛，请问有什么比较好的解决方法吗？

飞翔的猪

参考刘老师帖子：http://bbs.keinsci.com/thread-13065-1-1.html

buct_hjh

飞翔的猪 发表于 2020-12-10 15:36
参考刘老师帖子：http://bbs.keinsci.com/thread-13065-1-1.html

好，谢谢

robitu

解决了吗?怎么改的？

buct_hjh

robitu 发表于 2020-12-12 17:18
解决了吗?怎么改的？

先用大的sigma,目前看大的能收敛，我用的0.5
EDIFF为1E-04

卡开发发

buct_hjh 发表于 2020-12-15 09:32
先用大的sigma,目前看大的能收敛，我用的0.5
EDIFF为1E-04

尽量不要这么做。sigma过大会导致不可靠的结果，EDIFF也太大了。
可以调整的方向：
1、对于金属这个k点太低了，可以再大些，吃不准可以做个收敛性测试，其他程序给出的k值仅供参考不保证合理和性价比。
2、磁矩尽量猜测（偏大一些猜会更好，但不要过大），Ni高自旋是2，可以作为参考。
3、LDIPOL和IDIPOL可能会导致SCF难收敛，纯金属体系上下表面不是对称就是反对称的，没必要加。对吸附体系可以先不加此关键字进行计算，之后读取密度再加上修正。
4、如果还是难收敛可以适当减少AMIX，如果还不行就把BMIX也降到接近0，这点手册有说明。