GGA无法成功优化金属表面的一个分子

Sinddo

楼主现在正在算一个分子在金属表面的吸附，在高斯中（PBE1PBE-D3/def2TZVP）优化出了五种该分子的不同稳定构型。将优化后的分子构象放到一个盒子里面用VASP结构优化（PAW-PBE）计算能量来算吸附能。前面四种构型都很快收敛了，结构仅有细微调整。而最后一种构型分子直接跑散了，后来楼主又调整了分子构型，一直不能够成功。老板让换个泛函试试，于是又试了PW91还是和PBE一样的结果，但是LDA可以优化出这种构型，没有跑散，用PBE在金属表面优化也不会跑散。想问下这种情况大家有遇到吗，是怎么处理的？
INCAR文件如下：

ENCUT  =  500        (Cut-off energy for plane wave basis set, in eV)
ISMEAR =  0            (Gaussian smearing; metals:1)
SIGMA  =  0.01         (Smearing value in eV; metals:0.2)
EDIFF  =  1E-05        (SCF energy convergence; in eV)
NSW    =  500          (Max ionic steps)
IBRION =  2            (Algorithm: 0-MD; 1-Quasi-New; 2-CG)
POTIM =0.1
ALGO = Fast
EDIFFG = -0.01        (Ionic convergence; eV/AA)
LREAL = Auto
ISIF = 2
LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.
NWRITE = 1
IVDW = 12
NPAR = 2

卡开发发

整个结构驰豫过程是否每一步电子步都是收敛的？以及晶格尺寸是否充分大？实在不行可以用单点做个能量、力随盒子的变化看看。

Sinddo

盒子大小建立的30×30×30，如果仅用vasp（PBE）计算单点能，前四种构型均为235.xxx eV,而最后这种构型只有201 eV，明显小于前面几种构型。难道是因为在这种方法的势能面上这个构型附近没有极小点？

Sinddo

卡开发发 发表于 2021-3-9 09:25
整个结构驰豫过程是否每一步电子步都是收敛的？以及晶格尺寸是否充分大？实在不行可以用单点做个能量、力随 ...

可以收敛，但是和其他四种构型相比，明显每一离子步都需要很多电子步才可以收敛。晶格尺寸应该足够大了，一开始设置的20×20×20的，后来上升至30×30×30，其单点能均和其他构型相比有较大差距，前面四种均为235.xxx eV,这一种只有201 eV。想问下老师这种情况是否因为在该方法下，这个构型势能面附近就没有极小点？

卡开发发

Sinddo 发表于 2021-3-9 09:32
可以收敛，但是和其他四种构型相比，明显每一离子步都需要很多电子步才可以收敛。晶格尺寸应该足够大了， ...

要不输入文件打包过来看看（包括POTCAR），有时间我测试下，仅凭借INCAR很难判断出问题。

Sinddo

卡开发发 发表于 2021-3-9 09:41
要不输入文件打包过来看看（包括POTCAR），有时间我测试下，仅凭借INCAR很难判断出问题。

INCAR POSCAR POTCAR KPOINTS 已打包，感谢老师帮助！

devinhu

POSCAR和POTCAR中元素对应不上来POSCAR： O C H
POTCAR:   H C O

Sinddo

devinhu 发表于 2021-3-9 12:33
POSCAR和POTCAR中元素对应不上来POSCAR： O C H
POTCAR:   H C O

问题确实出在这里！回想起中途改了POSCAR，想着元素没变就没有更改POTCAR，不曾想着POSCAR里元素顺序变了，十分感谢！

Sinddo

卡开发发 发表于 2021-3-9 09:41
要不输入文件打包过来看看（包括POTCAR），有时间我测试下，仅凭借INCAR很难判断出问题。

老师，问题解决了，是POSCAR和POTCAR元素顺序没有对应