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楼主 Author: 风飞
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[CP2K] 求助:CP2K中 CeO2 基组的选择和DFT+U的输入文件的书写

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发表于 Post on 2021-5-19 16:20:41 | 只看该作者 Only view this author
风飞 发表于 2021-5-19 16:05
我是想计算吸附分析和载体表面之间的电荷电荷转移,看到说CP2K可以直接算 Hirshfled-I、REPEAT, 结合Mul ...

Hirshfeld-I的话芯密度是有影响的。
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2021-5-19 16:31:08 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2021-5-19 16:20
Hirshfeld-I的话芯密度是有影响的。

对哈,他是基于电子密度划分的,

那用拟合静电势的:REPEAT?

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发表于 Post on 2021-5-19 17:16:53 | 只看该作者 Only view this author
风飞 发表于 2021-5-19 16:31
对哈,他是基于电子密度划分的,

那用拟合静电势的:REPEAT?

我觉得REPEAT应该可以使用。主要还是得看程序怎么处理,有些程序在处理特定电荷的情况下会考虑将芯密度补上再进行处理,这点不好一概而论。
日常打哑谜&&探寻更多可能。
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发表于 Post on 2021-5-20 17:33:04 | 只看该作者 Only view this author
风飞 发表于 2021-5-19 16:05
我是想计算吸附分析和载体表面之间的电荷电荷转移,看到说CP2K可以直接算 Hirshfled-I、REPEAT, 结合Mul ...

Hirshfeld-I或CM5合适REPEAT对于这种目的我不建议。REPEAT主要适合用于计算基于力场模拟时的原子电荷目的。
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2021-5-20 17:35:55 | 只看该作者 Only view this author
sobereva 发表于 2021-5-20 17:33
Hirshfeld-I或CM5合适REPEAT对于这种目的我不建议。REPEAT主要适合用于计算基于力场模拟时的原子电荷目的 ...

嗯,好的 谢谢老师

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发表于 Post on 2024-3-5 15:08:26 | 只看该作者 Only view this author
风飞 发表于 2021-5-19 08:09
老师,你好,我的指定如下,仍然有问题, 提示错误如下,那是不是还得指定GPW,GPAW_XC, OFGPW这些参数 ...

您好,我想请教一下,Ce plus U 7.0 eV的参考文献可以分享一下吗,如果还记得的话

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