求助：cp2k计算MgH2生成焓与vasp差异巨大

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本人是cp2k新手，最近用CP2K算了MgH2的生成焓，BASIS_SET用DZVP-MOLOPT-SR-GTH，POTENTIAL用GTH-PBE，采用卢老师的Multiwfn生成.inp文件
具体结果如下
Mg        -63.28281515        (ha)
H2        -1.161912207        (ha)
MgH2        -64.44031886        (ha)
Formation energy=MgH2-Mg-H2=0.004408502(ha)=0.119955352        (eV)


而vasp的计算结果如下
Mg        -1.50E+00 eV
H2        -6.7585895 eV
MgH2        -8.820554 eV
Formation energy=MgH2-Mg-H2=-0.55976925  eV


二者差异非常大，cp2k算出来是吸热，vasp算出来则是放热反应。
之前文献报道的MgH2的生成焓与本文中vasp的计算结果相符，实验测出的结果大概是-0.65eV左右。cp2k的计算结果与vasp和实验结果均匀较大差异。
一直找不出导致上述差异的原因，是否我的.inp文件中用哪些设置没弄好？还是势函数或者基组选得不合理？（.inp文件已贴在附件中）
请各位大侠多多指教，非常感谢

zbh

我在分别用vasp和cp2k计算吸附能的时候遇到了类似的问题……

卡开发发

1、先确定在相减过程当中计量数是否正确，因为你表格的数据我不确定做了什么样的处理。
2、我不确定更大的基组给出的结果怎样，比如DZVP-MOLOPT-SR-GTH在特定体系有很大的BSSE或者对应的赝势在你的体系表现不好。
3、DMol3随手测试了一下，算出来在-0.59eV左右（按照一个MgH2的计量来算的），看上去vasp的结果应该是没问题的。