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[综合讨论] slab的带隙相比bulk小多少?

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发表于 Post on 2022-1-16 18:50:31 | 显示全部楼层 Show all |阅读模式 Reading model
本帖最后由 alma 于 2022-1-16 18:52 编辑

我尝试计算了TiO2-rutile bulk的带隙,DFT, 不+U,带隙大概1.8eV,和material project上的1.78eV大致相同。算110面的slab时,带隙,+u或者不+u,带隙大概都是1.3eV左右,相比bulk小了0.5eV,查了一些文献,也有不少案例都是slab带隙明显小于bulk的。
但是针对TiO2,很多文献算slab的带隙,+u之后,得到了2eV甚至是3eV的带隙,而且给的U值并不算很大,在4-6之间,可是我没法复现类似的结果,我就是把U调大到6,rutile-slab的带隙还是1.3左右,没有明显变大,更别说达到3eV的实验水平了。


我的问题是:
一般讲,slab相比bulk,带隙能降低20%-40%左右吗?
+U能让带隙从1.3eV变成3eV这么大的差距吗?
文献中给出的slab计算结果,用+U的方法得到3eV这么大的带隙,是否可信?

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发表于 Post on 2022-1-17 00:04:15 | 显示全部楼层 Show all
你的slab和文献的晶面一样吗?表面悬挂键的饱和方式也是一样的吗?
slab的带隙比bulk小,一般是因为boundary state,而boundary state的种类、密度和边界的处理方式关系很大,比如直接切一个面,和切完以后把断键用氢饱和,以及切完以后虽然不加氢但是做relax让表面重构,结果都会很不一样。

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