“第25届北京科音初级量子化学培训班” 将于6月11至14日于北京举办，是初学者真正从头一次性完整、系统性学习量子化学计算，从而能很快上手量子化学研究的重要机会，比起自己摸索、鼓捣能少走无数弯路。报名正在进行中，请点击此链接查看，欢迎参加！

捐赠本论坛 (Donate this site)
开启辅助访问 切换到宽版

计算化学公社

 找回密码 Forget password
 注册 Register
计算化学公社»论坛首页 › 理论与计算化学 (Theoretical and Computational Chemistry) › 分子模拟 (Molecular Modeling) › 关于n型半导体的耗尽层
返回列表 Return 发新帖
Views: 8305|回复 Reply: 0
打印 Print 上一主题 Last thread 下一主题 Next thread

[综合交流] 关于n型半导体的耗尽层

[复制链接 Copy URL]
茶味果冻

111

帖子

0

威望

459

eV
积分
570

Level 4 (黑子)
跳转到指定楼层 Go to specific reply
楼主
发表于 Post on 2016-3-14 20:27:29 | 只看该作者 Only view this author 回帖奖励 |倒序浏览 Reverse view |阅读模式 Reading model
我是做TiO2锐钛矿的，最近找了两天找关于半导体与溶液接触的界面上在半导体测形成的耗尽层的论文，主要是想了解耗尽层对光催化反应的影响以及重要性，但是就找到了一篇，实在无奈来这救助，有没有哪个老师有这方面的文献能给传几篇啊，或者好的建议也行，感激不尽啊
回复 Reply

举报 Report

返回列表 Return 发新帖

本版积分规则 Credits rule

手机版 Mobile version|北京科音自然科学研究中心 Beijing Kein Research Center for Natural Sciences|京公网安备 11010502035419号|计算化学公社 — 北京科音旗下高水平计算化学交流论坛 ( 京ICP备14038949号-1 )|网站地图

GMT+8, 2026-6-3 18:03 , Processed in 0.476258 second(s), 20 queries , Gzip On.

快速回复 返回顶部 返回列表 Return to list