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[VASP] 能带计算时开自旋,如何取带隙

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尊敬的各位大佬,这张图是我在一个单层结构上负载Pt计算的能带,仿照文献做的,开启了自旋,会有spin up 和 spin down,我想做的是异质结,看具体的带边位置,请教各位大佬如果只想得到带隙的话这个值怎么取呢?文献上掺杂的单原子应该也是开了自旋,但是没有分别讨论带隙,直接给出了带边位置,恳请各位大佬指点,鞠躬!

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能带

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2022-4-21 15:24:37 | 只看该作者 Only view this author
真的难住了,哪位老师能解答一下呢

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发表于 Post on 2022-4-21 16:36:18 | 只看该作者 Only view this author
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2022-4-21 16:40:26 | 只看该作者 Only view this author
再请教您,如果掺杂单原子之后,用PBE算能带,gap将近为0,这种情况下,您觉得有必要用HSE算吗

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发表于 Post on 2022-4-22 10:52:26 | 只看该作者 Only view this author
木头马尾 发表于 2022-4-21 16:40
再请教您,如果掺杂单原子之后,用PBE算能带,gap将近为0,这种情况下,您觉得有必要用HSE算吗

PBE对能隙预测不准,杂化泛函能明显改善,这个好像有很多文章提及,但如果你是做单原子催化 应该问题不大,比较是对比相对能量;杂化泛函计算量很大 不建议尝试

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