使用QEtoolkit便利地创建QE的各种输入文件

qzm

您好，能把2.5计算频率的算例分享一下吗

qzm

丁老师您好，我使用了QEtookit 算例2.5 内容计算，制作Shermo的输入文件报错
line 1560: '"1"*3': syntax error: operand expected (error token is "'"1"*3'")
QEtookit 第1560行内容是这个  for ((i=1;i<=$(("${#dophonatm[@]}"*3));i++))
请问 我应该如何修改

cpeng11

PS：也可以修改源码采用pbe+NC去做（https://minerals.chazeon.com/post/notes-on-raman-with-qe/）
老师，这个网页打不开了，请问还有其他方法可以查看这个笔记吗？谢谢！

loneliness

越哥太强了，十分感谢写出这么精品的内容！

lqyang

老师您好，运行QEtoolkit-2.sh提示Multiwfn的环境变量没有找到，忽略这个还是需要什么操作：

谢谢老师

lqyang

lqyang 发表于 2025-5-14 19:45
老师您好，运行QEtoolkit-2.sh提示Multiwfn的环境变量没有找到，忽略这个还是需要什么操作：

谢谢老师

这个解决了，原来要先安装Multiwfn

zhaoqin

请问一下，User Defined parameters中的gbrvpath=     pbepawpath=   pbesolpawpath=    oncvpath= 一般怎么确定（我没找到）
是不是得从什么网站下载？还请告知。谢谢啦

丁越

zhaoqin 发表于 2025-6-9 15:05
请问一下，User Defined parameters中的gbrvpath=     pbepawpath=   pbesolpawpath=    oncvpath= 一般怎 ...

这个是填的你自己的赝势文件放在哪个目录下了。比如你把GBRV的赝势解压到~/GBRV，那么相应的gbrvpath就填写这个路径。

gog

丁越 发表于 2025-6-9 22:23
这个是填的你自己的赝势文件放在哪个目录下了。比如你把GBRV的赝势解压到~/GBRV，那么相应的gbrvpath就填 ...

势函数，还是很占空间。

kaikai

老师，仿照Fe结构优化的步骤，在定义磁矩的时候，并没有出现type1: Fe      magnetization:0         Natms:2，目前是这个状态：请问老师可能是什么原因造成的？？？需要怎么修改呢？

cyh时代

nianbin 发表于 2022-9-2 10:32
可以联系卢老师整合进Multiwfn 这样就更好了 哈哈哈

加一，但官网上卢老师之前说过QE有些功能也挺不错的，估计会在第一性原理拓展班会讲这个吧

孔越华

flyingchow 发表于 2022-8-8 23:13
丁老师您好，我刚刚用WSL运行了您的脚本，但是会报错，请问大概是什么原因呢？谢谢

sed -i 's/\r$//' ./QEtoolkit-2.sh

南北多歧路

丁老师您好，学生在使用QEtoolkit的时候感觉非常方便，但是对于脚本的occupations的参数设定有点疑惑，为什么不同类型的物质都使用smearing仅仅只是degauss不一样呢？

丁越

南北多歧路 发表于 2026-1-14 09:55
丁老师您好，学生在使用QEtoolkit的时候感觉非常方便，但是对于脚本的occupations的参数设定有点疑惑，为什 ...

degauss的大小对体系能量和力计算影响非常大，太大的展宽会造成总能量中引入显著的电子熵项（在QE的输出文件中的smearing contrib. (-TS)项）；反之使用的degauss越小，smearing的效果越弱。根据这篇论文的“Effectiveness of smearing and tetrahedron methods: best practices in DFT codes”的测试，使用较小的展宽对力的平均误差有一定的改善，特别是进行高通量计算时。不过对于带隙较大的材料或者是分子体系你可以直接使用occupation=‘fix’，避免了引入有限温度下的电子自由能，当然，如果使用了smearing并结合较小的degauss时TS的贡献非常小，这样的结果也没啥大问题。

南北多歧路

丁越 发表于 2026-1-15 10:15
degauss的大小对体系能量和力计算影响非常大，太大的展宽会造成总能量中引入显著的电子熵项（在QE的输出 ...

丁老师您好，谢谢您的解惑！我的理解是除了金属导体体系原理上使用smearing恰当，其余类似半导体绝缘体抑或者绝缘体使用smearing并且配上合适大小的degauss值相较于tetrahedra或fixed方法能够利于体系的scf过程收敛，同时只要-TS的贡献很小结果就算可靠？另外丁老师我注意到degauss的大小随着带隙的增大而减小，请问这样处理的原因是这样设置对计算的影响就约接近使用tetrahedra或fixed方法的效果？