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[VASP] 关于NELECT对体系加电子问题

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请问各位老师,体系在进行结构优化时,加入NELECT这个参数使得比POTCAR电子数多一个,在后续结构优化,自洽,非自洽中走5步出现the old and the new charge density differ这个问题,这样算是报错,还是成功加上一个电子了?

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发表于 Post on 2023-2-4 08:24:34 | 只看该作者 Only view this author
NELECT加上了就是算是改过体系电子数了,前面非自洽的密度还是按照赝势读进来的电子数做的,但原则上不影响。但你可能得清楚你的体系是否能够随便加电荷。
日常打哑谜&&探寻更多可能。
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本周忙

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-2-4 21:39:18 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2023-2-4 08:24
NELECT加上了就是算是改过体系电子数了,前面非自洽的密度还是按照赝势读进来的电子数做的,但原则上不影响 ...

哦哦,好的,谢谢老师

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发表于 Post on 2023-11-20 01:10:18 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2023-2-4 08:24
NELECT加上了就是算是改过体系电子数了,前面非自洽的密度还是按照赝势读进来的电子数做的,但原则上不影响 ...

挖一下老帖,想问问卡老师,对于一个体系考虑电荷掺杂以及VDW效应(但是不是slab没有真空层),使用NELECT结构优化之后得到的结构与能量是否可靠呢

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发表于 Post on 2023-11-20 18:30:05 | 只看该作者 Only view this author
鱼丸box 发表于 2023-11-20 01:10
挖一下老帖,想问问卡老师,对于一个体系考虑电荷掺杂以及VDW效应(但是不是slab没有真空层),使用NELEC ...

不一定可靠,具体你可以自行看LDIPOL相关的关键字,里面对一些细节有讨论,此处不详述。
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本周忙

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发表于 Post on 2023-11-21 00:31:12 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2023-11-20 18:30
不一定可靠,具体你可以自行看LDIPOL相关的关键字,里面对一些细节有讨论,此处不详述。

看到了卡老师所说的帖子,以及vasp官网中对带电体系使用LDIPOL的限制,现在我比较疑惑的是,如果我要实现电子掺杂,好像只能通过调整NELECT实现,我设想过以下几条方法,不知道怎么样才能得到比较准确的能量(因为我的体系是磁性体系,需要计算磁基态):
1、加入NELECT参数进行结构优化,仅在scf中加入LDIPOL偶极矫正得到能量
2、在结构优化中将NELECT和LDIPOL都加入进行计算(感觉很难收敛)
3、不进行结构优化,只在scf中调整NELECT与LDIPOL

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发表于 Post on 2023-11-21 01:14:10 | 只看该作者 Only view this author
鱼丸box 发表于 2023-11-21 00:31
看到了卡老师所说的帖子,以及vasp官网中对带电体系使用LDIPOL的限制,现在我比较疑惑的是,如果我要实现 ...

你这个问题和LDIPOL其实没关系,你可能得把那一节好好看下,里面涉及到几个关键字和相关理论。
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发表于 Post on 2023-11-21 18:30:45 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2023-11-21 01:14
你这个问题和LDIPOL其实没关系,你可能得把那一节好好看下,里面涉及到几个关键字和相关理论。

好的,谢谢老师

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