NiO(111)表面DOS图有很多峰，且bandgap值对不上

蓝天之约 · 发表于 Post on 2023-5-4 11:59:08

如题，之前结构优化没有采用U值校正，导致氧算出来的结果是导体，但是氧化镍属于宽禁带半导体，不太合适，然后利用了＋U的方法，尝试了一下不同的U值，U值越大，得出来的bandgap会增加，我把U值增加到了11.4,bandgap还是相差比较大，实验值大概4eV,从DOS图得出来的结果可能只有2.2eV?,并且这个dos图会有一些莫名的峰，和文献报道的图有很大差距，不知道是什么原因导致的，想请教一下大家，望不吝赐教，谢谢!以下是我计算的INCAR POSCAR和Kpoints。原子比较多，POSCAR没有全部显示，我贴了vesta的图，我是把上面一层Ni和下面一层Ni设置的初始磁矩相反

得出来的DOS如下所示，另外我在p4v中选择Ni的PDOS时候明明选择了BOTH，可还是只有向上的一半，不知道为什么？

文献中报道的DOS图

再次谢谢大家！

Deepast · 发表于 Post on 2023-5-4 14:48:49

我不确定你说的文献报导是块体还是slab，如果是块体很正常，slab和块体的能带结构本来就有差异。
看看其它文献U值设多少，一般也不会差太多。
实在不行用HSE06算一遍呗

还有p4v那个要分别算up和down，选down的时候反转y轴

蓝天之约 · 发表于 Post on 2023-5-4 19:25:22

Deepast 发表于 2023-5-4 14:48
我不确定你说的文献报导是块体还是slab，如果是块体很正常，slab和块体的能带结构本来就有差异。
看看其它 ...

感谢感谢，主要是他这个也是slab模型，我们的结构也差不多，都是六层NiO(111)面，文献中用的U值是5.4左右，但是5.4的话bandgap只有1eV,所以我就加大了U值

NJzsj · 发表于 Post on 2024-4-10 15:07:28

，我在算NiO（111）晶面 slab模型的时候，Ni和O共六层，想要使用伪H钝化一侧，研究另外一层的态密度，请问伪H应该怎么选择？

fanzhichao001 · 发表于 Post on 2024-4-10 17:21:00

INCAR参数里面的磁矩设置是不是错了呢，应该是MAGMOM吧

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[VASP] NiO(111)表面DOS图有很多峰，且bandgap值对不上